IRF730 MOSFET Canal N 400V 4A TO-220

El IRF730 MOSFET Canal N 400V 4A es un transistor de efecto de campo diseñado para aplicaciones de conmutación de alta tensión y velocidad. Este dispositivo pertenece a la familia de MOSFETs de potencia de canal N y utiliza tecnología de compuerta aislada, lo que permite un control eficiente con baja corriente de entrada.

Además, el IRF730 MOSFET Canal N 400V 4A soporta una tensión drenaje-fuente de hasta 400 V y una corriente continua de drenaje de 4 A, lo que lo hace adecuado para aplicaciones de potencia media. Gracias a su baja resistencia en conducción y rápidos tiempos de conmutación, el dispositivo mejora la eficiencia energética y reduce las pérdidas por disipación térmica.

Por otra parte, este MOSFET resulta especialmente adecuado para fuentes de alimentación conmutadas, inversores, controladores de motores y circuitos de potencia que operan a frecuencias elevadas.

Funciones destacadas:

• Conmutación rápida de alta velocidad
• Alta tensión drenaje-fuente soportada
• Bajo consumo en la compuerta
• Buena eficiencia térmica
• Fácil integración en circuitos de potencia

Aplicaciones comunes:

• Fuentes de alimentación conmutadas
• Inversores de potencia
• Control de motores
• Reguladores y convertidores DC-DC
• Proyectos de electrónica de potencia

Características técnicas:

• Modelo: IRF730
• Tipo de transistor: MOSFET Canal N
• Tensión drenaje-fuente (VDS): 400 V
• Corriente continua de drenaje (ID): 4 A
• Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 1.0 Ω típica
• Tensión compuerta-fuente (VGS): ±20 V
• Carga total de compuerta (Qg): 16 nC típica
• Potencia disipada máxima (PD): 75 W
• Encapsulado: TO-220
• Tipo de montaje: Orificio pasante
• Temperatura de operación: −55 °C a +150 °C

Datasheet: IRF730

Para más MOSFETs de potencia y semiconductores de conmutación, consulte la sección Transistores.