Categoría: Transistores
Transistores
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Leer másEl IRF4905PBF TO-220 es un MOSFET de canal P diseñado para aplicaciones de potencia, ofreciendo alta capacidad de corriente y baja resistencia interna, lo que asegura eficiencia y confiabilidad en sistemas electrónicos exigentes.
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El BC327-25 TO-92 es un transistor PNP versátil de 0.8A y 45V, ampliamente usado en circuitos de conmutación y amplificación en aplicaciones electrónicas generales.
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El MOSFET 2SC2240 TO-92 es un transistor diseñado para amplificación de señales pequeñas, ofreciendo excelente desempeño en circuitos de audio de alta fidelidad y radiofrecuencia.
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El BT151-600R SCR Tiristor es un dispositivo semiconductor diseñado para aplicaciones de control de potencia, rectificación y conmutación, con alta confiabilidad y eficiencia en el manejo de cargas.
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El Transistor SS8050 es un NPN de propósito general en encapsulado TO-92, con capacidad de corriente de 1.5A y bajo consumo, perfecto para amplificación y conmutación.
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El IRF630N MOSFET DIP TO-220 ofrece alta capacidad de corriente, baja resistencia Rds(on) y excelente disipación térmica, siendo perfecto para proyectos de potencia y control electrónico.
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El MOSFET IRFZ24N IRFZ24 TO-220 ofrece bajo Rds(on), alta capacidad de corriente y buena disipación térmica, lo que lo convierte en un componente confiable para proyectos de potencia.
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El MOSFET FGA25N120AN TO-3P combina alta eficiencia, confiabilidad y capacidad de manejo de potencia, siendo una excelente opción para aplicaciones industriales exigentes.
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El MOSFET IRF3205S Canal N en encapsulado SOT-263 combina alta capacidad de corriente, baja resistencia y montaje SMD, perfecto para aplicaciones de potencia.
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El transistor 2N6284 es un NPN Darlington de alta potencia en encapsulado TO-3, diseñado para aplicaciones de control y conmutación de alta corriente.
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El transistor alta tensión MPSA44 es un transistor NPN de alto voltaje y corriente, adecuado para circuitos de conmutación, amplificación y control en aplicaciones electrónicas exigentes.
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El transistor SPA11N80 TO-220 11N80 es un MOSFET de alta tensión diseñado para aplicaciones que requieren alta eficiencia y confiabilidad en el manejo de cargas eléctricas.
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Mini módulo controlador interruptor MOS PWM
$ 1.0 – $ 1.3Seleccionar opciones Este producto tiene múltiples variantes. Las opciones se pueden elegir en la página de productoMini módulo controlador de interruptor MOS con regulación PWM para aplicaciones de alta potencia. Control electrónico preciso con tubo de efecto de campo.
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El FQPF8N60C es un MOSFET N-Channel de 600V y 8A, diseñado para conmutación eficiente en aplicaciones de alta potencia y rendimiento confiable.
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El transistor 2N6517 TO-92 es un componente NPN diseñado para aplicaciones de conmutación y amplificación de señal. Su encapsulado TO-92 lo hace ideal para montaje en placas de prototipo, desarrollo o producción de pequeños dispositivos electrónicos.
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Transistor 2N3055 NPN de alta potencia en encapsulado TO-3. Soporta hasta 15A y 60V. Perfecto para fuentes de poder y aplicaciones de control de carga.
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El puente rectificador KBP307 convierte corriente alterna (AC) en continua (DC) con eficiencia. Soporta hasta 1000V y 3A, perfecto para fuentes de poder y proyectos electrónicos.
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Transistor NPN BD139 TO-126 de uso general. Maneja hasta 1.5A y 80V, ideal para amplificadores, fuentes y control de relés.
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Transistor PNP BD140 encapsulado TO-126. Soporta hasta 1.5A y 80V. Ideal para conmutación, control de cargas y amplificadores de potencia.
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El MOSFET de Potencia 6R125P (IPP60R125CP) de Canal N es un transistor diseñado para aplicaciones de electrónica de potencia que requieren conmutación eficiente y manejo de altas corrientes. Con una clasificación de voltaje de drenaje a fuente de 650V y una corriente de drenaje continua de 25A, este dispositivo ofrece una resistencia en estado encendido …
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Tiristor BT149D 600V 2A
$ 1.1Añadir al carritoEl Tiristor BT149 600v es un componente de alta calidad en encapsulado TO-92, diseñado para aplicaciones de control de energía. Soporta hasta 2A y voltajes de 200V a 600V. Ideal para circuitos de microcontroladores y triggers.
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Pareja de transistores de potencia NJW3281G (NPN) y NJW1302G (PNP) para aplicaciones de audio de alta potencia. Ganancia NPN/PNP coincidente, alta linealidad y dispositivos Pb-Free.
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Transistor TIP36C PNP
$ 2.4Añadir al carritoEl Transistor TIP36C PNP es un dispositivo de alta potencia diseñado para manejar cargas de hasta 125W y 25A. Ideal para aplicaciones de amplificación y conmutación, con encapsulado TO-247.
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Transistor TIP35C NPN
$ 2.4Añadir al carritoEl Transistor TIP35C NPN es un dispositivo de alta potencia que soporta hasta 125W y 25A, ideal para amplificación y conmutación en electrónica de potencia. Viene en un encapsulado TO-247.
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Transistor TIP147 PNP
$ 2.5Añadir al carritoEl Transistor TIP147 PNP es un dispositivo de alta potencia, con capacidad de disipar hasta 125W y corriente máxima de 10A, diseñado para aplicaciones de amplificación y conmutación en electrónica de potencia.
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Transistor TIP142 NPN
$ 2.5Añadir al carritoEl Transistor TIP142 NPN es un transistor de potencia con capacidad de 125W y corriente máxima de 10A, ideal para aplicaciones de conmutación y amplificación en electrónica de potencia.
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El Transistor de Potencia TIP3055 NPN TO-247 es una excelente opción para aplicaciones lineales, de audio y conmutación, ofreciendo alta corriente y baja saturación de voltaje.
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El Transistor de Potencia TIP2955 PNP TO-247 es ideal para aplicaciones de audio, lineales y de conmutación, ofreciendo una alta capacidad de corriente y baja saturación de voltaje.
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El BTA416Y-800B es un TRIAC de alta conmutación diseñado para un rendimiento superior en aplicaciones de control de potencia, ideal para electrodomésticos y motores de alta potencia.
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El TRIAC BTA24-600B en encapsulado TO-220 es ideal para aplicaciones de conmutación de corriente alterna, como control de motores, relés estáticos y regulación de calefacción. Soporta hasta 600V y una corriente RMS de 25A, asegurando alta eficiencia en cargas inductivas y resistivas.
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El IGBT GW39N60 600V es un transistor avanzado de 40A, ideal para aplicaciones de alta frecuencia como inversores, controladores de motor y calentadores por inducción. Su diseño PowerMESH™ ofrece conmutación rápida y baja capacitancia, asegurando una operación eficiente y estable, incluso bajo altas temperaturas y corrientes.
Datasheet: ¡Click Aqui!
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Triac BT139 600V 16A
$ 0.6Añadir al carritoEl TRIAC BT139 es un dispositivo semiconductor de potencia ampliamente utilizado en aplicaciones de control de corriente alterna (AC). Diseñado para manejar corrientes de hasta 16A y voltajes de hasta 600V, el BT139 es especialmente adecuado para el control de carga resistiva e inductiva en circuitos de baja potencia y aplicaciones de conmutación de AC.
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Triac BT138 600V 12A
$ 0.6Añadir al carritoEl TRIAC BT138 es un dispositivo semiconductor de potencia ampliamente utilizado en aplicaciones de control de corriente alterna (AC). Diseñado para manejar corrientes de hasta 12A y voltajes de hasta 600V, el BT138 es especialmente adecuado para el control de carga resistiva e inductiva en circuitos de baja potencia y aplicaciones de conmutación de AC.
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Triac BT137 600V 8A
$ 0.6Añadir al carritoEl TRIAC BT137 es un dispositivo semiconductor de potencia ampliamente utilizado en aplicaciones de control de corriente alterna (AC). Diseñado para manejar corrientes de hasta 8A y voltajes de hasta 600V, el BT137 es especialmente adecuado para el control de carga resistiva e inductiva en circuitos de baja potencia y aplicaciones de conmutación de AC.
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Los HEXFET de quinta generación de International Rectifier utilizan técnicas de procesamiento avanzadas para lograr la menor resistencia posible por área de silicio. Este beneficio, combinado con la rápida velocidad de conmutación y el diseño robusto del dispositivo por el que son bien conocidos los MOSFET de potencia HEXFET, proporciona al diseñador un dispositivo extremadamente eficiente para usar en una amplia variedad de aplicaciones.
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El 2SA1020 es un transistor bipolar PNP de pequeña señal diseñado para diversas aplicaciones, que presenta una corriente de colector continua (I(C)) de 2 A y una tensión de ruptura colector-emisor (V(BR)CEO) de 50 V. Construido a partir de silicio, este transistor utiliza un solo elemento dentro de su diseño. Viene empaquetado en una configuración TO-92, lo que garantiza una fácil integración en una amplia gama de circuitos electrónicos.
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Transistor NPN BUV48A
$ 1.0Añadir al carritoEl Transistor BUV48A de potencia NPN, de conmutación rápida de alto voltaje, características capacidad de alta corriente velocidad de conmutación rápida al unas aplicaciones son fuentes de alimentación de modo de conmutación, convertidor 21 de baja potencia de transistor único flyback y forward TO-247.
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Tiristor SCR TYN208
$ 1.5Añadir al carritoEl Tiristor SCR TYN208 de la familia de rectificadores controlados por silicio de uso general está diseñado para fuentes de alimentación de hasta 400 Hz con carga resistiva o inductiva. El Tiristor SCR TYN208 con un voltaje pico máximo en estado de 200V
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El transistor IRFB3607 de canal N único de 75 V en un encapsulado TO-220, de la familia de MOSFET de potencia está optimizado para R DS (encendido) bajo y capacidad de corriente alta. Los dispositivos son ideales para aplicaciones de baja frecuencia que requieren rendimiento y robustez. La cartera completa aborda una amplia gama de aplicaciones, incluidos motores de CC, sistemas de gestión de baterías, inversores y convertidores de CC-CC.
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El transistor IRFB4310 de potencia de canal N, único de 100 V en un paquete TO-220 de la familia de MOSFET está optimizado para R DS (encendido) bajo y capacidad de corriente alta. Los dispositivos son ideales para aplicaciones de baja frecuencia que requieren rendimiento y robustez. La cartera completa aborda una amplia gama de aplicaciones, incluidos motores de CC, sistemas de gestión de baterías, inversores y convertidores de CC-CC.
