Categoría: Transistores
Transistores
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Leer másTransistor 2N3055 NPN de alta potencia en encapsulado TO-3. Soporta hasta 15A y 60V. Perfecto para fuentes de poder y aplicaciones de control de carga.
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El puente rectificador KBP307 convierte corriente alterna (AC) en continua (DC) con eficiencia. Soporta hasta 1000V y 3A, perfecto para fuentes de poder y proyectos electrónicos.
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Transistor NPN BD139 TO-126 de uso general. Maneja hasta 1.5A y 80V, ideal para amplificadores, fuentes y control de relés.
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Transistor PNP BD140 encapsulado TO-126. Soporta hasta 1.5A y 80V. Ideal para conmutación, control de cargas y amplificadores de potencia.
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El MOSFET de Potencia 6R125P (IPP60R125CP) de Canal N es un transistor diseñado para aplicaciones de electrónica de potencia que requieren conmutación eficiente y manejo de altas corrientes. Con una clasificación de voltaje de drenaje a fuente de 650V y una corriente de drenaje continua de 25A, este dispositivo ofrece una resistencia en estado encendido …
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Tiristor BT149D 600V 2A
$ 1.1Añadir al carritoEl Tiristor BT149 600v es un componente de alta calidad en encapsulado TO-92, diseñado para aplicaciones de control de energía. Soporta hasta 2A y voltajes de 200V a 600V. Ideal para circuitos de microcontroladores y triggers.
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Pareja de transistores de potencia NJW3281G (NPN) y NJW1302G (PNP) para aplicaciones de audio de alta potencia. Ganancia NPN/PNP coincidente, alta linealidad y dispositivos Pb-Free.
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Transistor TIP36C PNP
$ 2.4Añadir al carritoEl Transistor TIP36C PNP es un dispositivo de alta potencia diseñado para manejar cargas de hasta 125W y 25A. Ideal para aplicaciones de amplificación y conmutación, con encapsulado TO-247.
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Transistor TIP35C NPN
$ 2.4Añadir al carritoEl Transistor TIP35C NPN es un dispositivo de alta potencia que soporta hasta 125W y 25A, ideal para amplificación y conmutación en electrónica de potencia. Viene en un encapsulado TO-247.
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Transistor TIP147 PNP
$ 2.5Añadir al carritoEl Transistor TIP147 PNP es un dispositivo de alta potencia, con capacidad de disipar hasta 125W y corriente máxima de 10A, diseñado para aplicaciones de amplificación y conmutación en electrónica de potencia.
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Transistor TIP142 NPN
$ 2.5Añadir al carritoEl Transistor TIP142 NPN es un transistor de potencia con capacidad de 125W y corriente máxima de 10A, ideal para aplicaciones de conmutación y amplificación en electrónica de potencia.
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El Transistor de Potencia TIP3055 NPN TO-247 es una excelente opción para aplicaciones lineales, de audio y conmutación, ofreciendo alta corriente y baja saturación de voltaje.
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El Transistor de Potencia TIP2955 PNP TO-247 es ideal para aplicaciones de audio, lineales y de conmutación, ofreciendo una alta capacidad de corriente y baja saturación de voltaje.
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El BTA416Y-800B es un TRIAC de alta conmutación diseñado para un rendimiento superior en aplicaciones de control de potencia, ideal para electrodomésticos y motores de alta potencia.
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El TRIAC BTA24-600B en encapsulado TO-220 es ideal para aplicaciones de conmutación de corriente alterna, como control de motores, relés estáticos y regulación de calefacción. Soporta hasta 600V y una corriente RMS de 25A, asegurando alta eficiencia en cargas inductivas y resistivas.
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El IGBT GW39N60 600V es un transistor avanzado de 40A, ideal para aplicaciones de alta frecuencia como inversores, controladores de motor y calentadores por inducción. Su diseño PowerMESH™ ofrece conmutación rápida y baja capacitancia, asegurando una operación eficiente y estable, incluso bajo altas temperaturas y corrientes.
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Triac BT139 600V 16A
$ 0.6Añadir al carritoEl TRIAC BT139 es un dispositivo semiconductor de potencia ampliamente utilizado en aplicaciones de control de corriente alterna (AC). Diseñado para manejar corrientes de hasta 16A y voltajes de hasta 600V, el BT139 es especialmente adecuado para el control de carga resistiva e inductiva en circuitos de baja potencia y aplicaciones de conmutación de AC.
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Triac BT138 600V 12A
$ 0.6Añadir al carritoEl TRIAC BT138 es un dispositivo semiconductor de potencia ampliamente utilizado en aplicaciones de control de corriente alterna (AC). Diseñado para manejar corrientes de hasta 12A y voltajes de hasta 600V, el BT138 es especialmente adecuado para el control de carga resistiva e inductiva en circuitos de baja potencia y aplicaciones de conmutación de AC.
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Triac BT137 600V 8A
$ 0.6Añadir al carritoEl TRIAC BT137 es un dispositivo semiconductor de potencia ampliamente utilizado en aplicaciones de control de corriente alterna (AC). Diseñado para manejar corrientes de hasta 8A y voltajes de hasta 600V, el BT137 es especialmente adecuado para el control de carga resistiva e inductiva en circuitos de baja potencia y aplicaciones de conmutación de AC.
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Los HEXFET de quinta generación de International Rectifier utilizan técnicas de procesamiento avanzadas para lograr la menor resistencia posible por área de silicio. Este beneficio, combinado con la rápida velocidad de conmutación y el diseño robusto del dispositivo por el que son bien conocidos los MOSFET de potencia HEXFET, proporciona al diseñador un dispositivo extremadamente eficiente para usar en una amplia variedad de aplicaciones.
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El 2SA1020 es un transistor bipolar PNP de pequeña señal diseñado para diversas aplicaciones, que presenta una corriente de colector continua (I(C)) de 2 A y una tensión de ruptura colector-emisor (V(BR)CEO) de 50 V. Construido a partir de silicio, este transistor utiliza un solo elemento dentro de su diseño. Viene empaquetado en una configuración TO-92, lo que garantiza una fácil integración en una amplia gama de circuitos electrónicos.
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Transistor NPN BUV48A
$ 1.0Añadir al carritoEl Transistor BUV48A de potencia NPN, de conmutación rápida de alto voltaje, características capacidad de alta corriente velocidad de conmutación rápida al unas aplicaciones son fuentes de alimentación de modo de conmutación, convertidor 21 de baja potencia de transistor único flyback y forward TO-247.
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Tiristor SCR TYN208
$ 1.5Añadir al carritoEl Tiristor SCR TYN208 de la familia de rectificadores controlados por silicio de uso general está diseñado para fuentes de alimentación de hasta 400 Hz con carga resistiva o inductiva. El Tiristor SCR TYN208 con un voltaje pico máximo en estado de 200V
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El transistor IRFB3607 de canal N único de 75 V en un encapsulado TO-220, de la familia de MOSFET de potencia está optimizado para R DS (encendido) bajo y capacidad de corriente alta. Los dispositivos son ideales para aplicaciones de baja frecuencia que requieren rendimiento y robustez. La cartera completa aborda una amplia gama de aplicaciones, incluidos motores de CC, sistemas de gestión de baterías, inversores y convertidores de CC-CC.
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El transistor IRFB4310 de potencia de canal N, único de 100 V en un paquete TO-220 de la familia de MOSFET está optimizado para R DS (encendido) bajo y capacidad de corriente alta. Los dispositivos son ideales para aplicaciones de baja frecuencia que requieren rendimiento y robustez. La cartera completa aborda una amplia gama de aplicaciones, incluidos motores de CC, sistemas de gestión de baterías, inversores y convertidores de CC-CC.
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El transistor IRFB3006 de la familia de MOSFET de potencia utiliza procesos de silicio probados que ofrecen a los diseñadores una amplia cartera de dispositivos para admitir diversas aplicaciones, como motores de DC, inversores, SMPS, iluminación, interruptores de carga y aplicaciones alimentadas por baterías. Los dispositivos están disponibles en una variedad de paquetes de montaje en superficie y de orificio pasante con dimensiones estándar de la industria para facilitar el diseño. Las opciones optimizadas de accionamiento de compuerta permiten a los diseñadores la flexibilidad de seleccionar accionamientos de nivel súper, lógico o normal
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El transistor IRFB3306 de canal N único de 60 V en un encapsulado TO-220 de la familia de MOSFET de potencia está optimizado para RDS(encendido) bajo y capacidad de corriente alta. Los dispositivos son ideales para aplicaciones de baja frecuencia que requieren rendimiento y robustez. La cartera completa aborda una amplia gama de aplicaciones, incluidos motores de DC, sistemas de gestión de baterías, inversores y convertidores de DC-DC.
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Transistor MOSFET IRFB4110 de canal N, resistencia de encendido de fuente de drenaje estático: RDS(encendido) 4,5m Modo de mejora velocidad de conmutación rápida 100% probado en avalancha variaciones mínimas de lote a lote para un rendimiento robusto del dispositivo y una operación confiable, dispositivo confiable para usar en una amplia variedad de aplicaciones.
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Este MOSFET de potencia de canal N, con una estructura de compuerta de zanja mejorada que da como resultado una resistencia en estado encendido muy baja, al mismo tiempo que reduce la capacitancia interna y la carga de compuerta para una conmutación más rápida y eficiente.
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Tiristor SCR TYN825
$ 1.5Añadir al carritoEstos SCR estándar de 25 A son adecuados para aplicaciones de uso general. Al utilizar tecnología de ensamblaje de clips, brindan un rendimiento superior en capacidades de sobrecorriente.
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Tiristor SCR TYN816
$ 1.5Añadir al carritoEl Tiristor SCR TYN816 de la serie estándar TN16 / TYNx16 de 16 A es adecuada para aplicaciones de uso general. Al utilizar tecnología de ensamblaje de clips, brindan un rendimiento superior en capacidades de sobrecorriente.
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Tiristor SCR TYN612
$ 1.3Añadir al carritoTYN612 SCR Tiristor 600V – 12A TO-220, diseñados para aplicaciones en controladores de Relés (Relay) y lámparas, electrodomésticos, control de motores, control de cargas AC y DC (Corriente Alterna y Corriente Continua), entre otros.
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Tiristor SCR TYN1225
$ 1.5Añadir al carritoEstos SCR estándar de 25 A son adecuados para aplicaciones de uso general. Al utilizar tecnología de ensamblaje de clips, brindan un rendimiento superior en capacidades de sobrecorriente, está empaquetado en entradas TO-220AB.
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Tiristor SCR TYN610
$ 1.5Añadir al carritoLos rectificadores controlados por silicio el TYN610 es una tecnología de vidrio pasivado de alto rendimiento. Estos rectificadores controlados por silicio de uso general están diseñados para suministro de energía de hasta 400 Hz en carga resistiva o inductiva.
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Tiristor SCR TYN812
$ 1.7Añadir al carritoEl SCR (Silicon Controlled Rectifier o Rectificador Controlado de Silicio, es un dispositivo semiconductor biestable formado por tres uniones pn con la disposición pnpn. La conducción entre ánodo y cátodo es controlada por el terminal de puerta. Es un elemento unidireccional, conmutador casi ideal, rectificador y amplificador a la vez.
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El Transistor Mosfet IRFP4242 de potencia 300V 46A 430W Canal N TO-247 HEXFET Transistor de potencia MOSFET 3 pines IC MOS Efecto de campo.
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Transistor Mosfet FSW25N50A, diseñado para aplicaciones como: Sistema de alimentación ininterrumpida (UPS), alimentación del paneles LCD’s e inversores DC-AC
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El ransistor MOSFET IRFBC40 es un componente electrónico que controla corrientes muy elevadas y su función es amplificar o interrumpir. Los Mosfet comunes en el mercado son Canal N y Canal P, contienen tienen tres terminales de salida que se llaman: Drain, Source y Gate por sus siglas en ingles. Este transistor de efecto de campo de potencia de puerta de silicio con modo de mejora de canal N es un MOSFET de potencia avanzado diseñado, probado y garantizado para soportar un nivel específico de energía en el modo de operación de avalancha de ruptura.
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Diseño específicamente para aplicaciones automotrices, tiene una temperatura de funcionamiento de la unión de 175°C, una velocidad de conmutación rápida.
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Este MOSFET de potencia utiliza las últimas técnicas de procesamiento, cuentan con una temperatura de funcionamiento de la unión de 175°C una velocidad de conmutación rápida.
