Categoría: MOSFET
MOSFET

Los MOSFET son transistores de efecto de campo ideales para controlar corriente y voltaje en circuitos electrónicos. Se utilizan en fuentes de poder, motores, amplificadores y sistemas de conmutación.
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Controlador ORing Hot Swap TPS2410
$ 8.000,0 sin IVAAñadir al carritoEl controlador ORing hot swap TPS2410 optimiza la gestión de energía redundante.
Permite control preciso de MOSFET externos para protección. -
IRL1404 MOSFET Canal N 40V 160A TO-220
$ 5.500,0 sin IVAAñadir al carritoEl IRL1404 es un MOSFET canal N de baja resistencia y alta corriente para aplicaciones de potencia y conmutación eficiente.
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MOSFET Canal N – IRL1404S / L1404S 160A 40V TO-263
$ 7.000,0 sin IVAAñadir al carritoIRL1404S / L1404S 160A 40V TO-263 es un MOSFET canal N de alta corriente y baja RDS(on), ideal para aplicaciones de potencia.
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Módulo MOSFET IRF640N/9530N de Efecto de Campo
$ 17.000,0 sin IVASeleccionar opciones Este producto tiene múltiples variantes. Las opciones se pueden elegir en la página de productoMódulo MOSFET IRF640N/9530N para control de cargas de potencia. Soporta < 30 V y ofrece control flexible mediante jumper.
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Disipador de Calor de Aluminio10×10×10 mm
$ 1.600,0 sin IVAAñadir al carritoDisipador aluminio extruido 10×10×10 mm, compacto y ligero, perfecto para módulos electrónicos y chips que requieren refrigeración eficiente.
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Disipador de Calor de Aluminio para TO-220
$ 1.500,0 sin IVASeleccionar opciones Este producto tiene múltiples variantes. Las opciones se pueden elegir en la página de productoDisipador TO-220 de aluminio en varios tamaños, ideal para triodos y transistores. Mejora la disipación térmica y prolonga la vida útil del componente.
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Disipador de Calor TO-220 para Transistores
$ 1.500,0 sin IVAAñadir al carritoDisipador TO-220 de aluminio compacto 10×15×20 mm, ideal para transistores y componentes de potencia. Mejora la disipación de calor y la estabilidad.
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Módulo MOSFET IRF540 de 1 Canal
$ 18.000,0 sin IVAAñadir al carritoMódulo MOSFET IRF540 de 1 canal, diseñado para controlar cargas de alta potencia mediante señales de bajo voltaje. Compatible con Arduino, PIC y Raspberry Pi.
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AO3400/AO3401/AO3402 MOSFET SOT-23
$ 500,0 sin IVASeleccionar opciones Este producto tiene múltiples variantes. Las opciones se pueden elegir en la página de productoEl MOSFET AO3400 y sus versiones AO3401/AO3402 en encapsulado SOT-23 son transistores de efecto de campo diseñados para aplicaciones SMD, con alta eficiencia y versatilidad.
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MOSFET K4107 N-Channel TO-220
$ 11.500,0 sin IVAAñadir al carritoMOSFET K4107 N-Channel TO-220 para aplicaciones de alta potencia. Ofrece baja resistencia interna y alta capacidad de conmutación en fuentes, controladores y sistemas industriales.
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Transistor SPA11N80 TO-220 11N80
$ 1.800,0 sin IVAAñadir al carritoEl transistor SPA11N80 TO-220 11N80 es un MOSFET de alta tensión diseñado para aplicaciones que requieren alta eficiencia y confiabilidad en el manejo de cargas eléctricas.
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Mini módulo controlador interruptor MOS PWM
Rango de precios: desde $ 4.000,0 hasta $ 5.200,0 sin IVASeleccionar opciones Este producto tiene múltiples variantes. Las opciones se pueden elegir en la página de productoMini módulo controlador de interruptor MOS con regulación PWM para aplicaciones de alta potencia. Control electrónico preciso con tubo de efecto de campo.
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Transistor MOSFET FQPF8N60C
$ 5.000,0 sin IVAAñadir al carritoEl FQPF8N60C es un MOSFET N-Channel de 600V y 8A, diseñado para conmutación eficiente en aplicaciones de alta potencia y rendimiento confiable.
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MOSFET SMK0460 TO-252 De Alto Voltaje
$ 1.800,0 sin IVAAñadir al carritoEl MOSFET SMK0460 TO-252 es un transistor de potencia de alto voltaje, diseñado para aplicaciones en fuentes de alimentación, inversores y sistemas electrónicos de alta eficiencia.
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MOSFET de Potencia 6R125P (IPP60R125CP) de Canal N
$ 8.000,0 sin IVAAñadir al carritoEl MOSFET de Potencia 6R125P (IPP60R125CP) de Canal N es un transistor diseñado para aplicaciones de electrónica de potencia que requieren conmutación eficiente y manejo de altas corrientes. Con una clasificación de voltaje de drenaje a fuente de 650V y una corriente de drenaje continua de 25A, este dispositivo ofrece una resistencia en estado encendido …
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MOSFET de Potencia IRFP250 de Canal N
$ 6.500,0 sin IVAAñadir al carritoEl MOSFET de Potencia IRFP250 de Canal N esta diseñado para aplicaciones de electrónica de potencia que requieren conmutación eficiente y manejo de altas corrientes. Con una clasificación de voltaje de drenaje a fuente de 200V y una corriente de drenaje continua de 30A, este dispositivo ofrece una resistencia en estado encendido (Rds(on)) de aproximadamente …
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OB2358 Interruptor de Potencia PWM
$ 10.000,0 sin IVAAñadir al carritoEl OB2358 es un interruptor de alimentación que combina un controlador PWM de modo de corriente con un MOSFET de alta tensión, optimizado para aplicaciones de convertidores flyback, ofreciendo eficiencia energética y múltiples características de protección.
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Transistor BUS48AP
$ 43.000,0 sin IVAAñadir al carritoEl Transistor BUS48AP es un dispositivo semiconductor diseñado para manejar altas corrientes y voltajes, con una capacidad para conmutar rápidamente entre estados de encendido y apagado. Este transistor está encapsulado en un empaque que garantiza su protección y disipación de calor eficiente, lo que lo hace adecuado para aplicaciones que requieren un rendimiento confiable y una larga vida útil.
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Transistor MOSFET M3054M
$ 1.200,0 sin IVAAñadir al carritoEl transistor MOSFET M3046 SMD de canal N es un dispositivo de vanguardia, reconocido por su extraordinario rendimiento y una densidad de celda excepcionalmente alta. Este componente ofrece un RdsON excepcional, lo que significa una resistencia de encendido mínima y una eficiencia óptima en la conducción de corriente. Su diseño compacto y avanzado lo convierte en la elección ideal para aplicaciones que requieren altos niveles de eficiencia y capacidad de conmutación. Con el M3054, se garantiza un rendimiento superior en una amplia variedad de sistemas electrónicos.
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Transistor MOSFET M3058M
$ 1.200,0 sin IVAAñadir al carritoTransistor Mosfet M3056 SMD de canal N de más alto rendimiento con una densidad de celda extremadamente alta ue proporciona un excelente RdsON
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Transistor MOSFET M3052M
$ 1.200,0 sin IVAAñadir al carritoEl QM3052M6 se destaca como un MOSFET de canal N de vanguardia, reconocido por su excepcional rendimiento y una densidad de celda sin precedentes. Diseñado para brindar una eficiencia superior en una amplia gama de aplicaciones de convertidores reductores síncronos, este dispositivo ofrece una baja resistencia de encendido (RdsON) y una carga de compuerta optimizada. Su combinación de características lo posiciona como una opción líder para sistemas que requieren un alto nivel de eficiencia y fiabilidad en la conversión de energía.
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Transistor Mosfet IRFP360
$ 10.900,0 sin IVAAñadir al carritoEl transistor IRFP360 están diseñados para aplicaciones tales como reguladores de conmutación, convertidores de conmutación, controladores de motores, Controladores de relé y controladores para conmutación bipolar de alta potencia. Estos transistores que requieren alta velocidad y baja potencia de accionamiento de puerta (Gate), pueden ser operados directamente desde circuitos integrados.
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Transistor MOSFET IRFP350
$ 11.100,0 sin IVAAñadir al carritoTransistor MOSFET de Potencia, diseñado para ser obtener un equilibrio perfecto entre conmutación rápida y un encapsulado robusto de baja resistencia cuando esta activo, todo a un costo muy asequible.
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Transistor MOSFET IRFP9240
$ 12.400,0 sin IVAAñadir al carritoLos MOSFET de potencia HEXFET de tercera generación de International Rectifier brindan al diseñador la mejor combinación de conmutación rápida, diseño de dispositivo robusto, baja resistencia y rentabilidad.
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Transistor MOSFET IRFP140N
$ 13.500,0 sin IVAAñadir al carritoLos HEXFET de quinta generación de International Rectifier utilizan técnicas de procesamiento avanzadas para lograr la menor resistencia posible por área de silicio. Este beneficio, combinado con la rápida velocidad de conmutación y el diseño robusto del dispositivo por el que son bien conocidos los MOSFET de potencia HEXFET, proporciona al diseñador un dispositivo extremadamente eficiente para usar en una amplia variedad de aplicaciones.























