Transistor mosfet MMD60R360P SMD
$ 3,000.0
Transistor mosfet MMD60R360P SMD de potencia que utiliza la avanzada tecnología de superunión, baja resistencia de encendido.
6 disponibles
Transistor mosfet MMD60R360P SMD proporcionará una eficiencia muy alta mediante el uso de
tecnología de acoplamiento de carga optimizada. Estos dispositivos fáciles de usar ofrecen una ventaja de baja EMI a los diseñadores, así como una baja pérdida de conmutación.
Cantidad:
- 1 unidad – Transistor mosfet MMD60R360P SMD
Características:
- Tipo de FET: MOSFET
- Polaridad de transistor: N
- Máxima disipación de potencia (Pd): 83 W
- Voltaje máximo drenador – fuente Vds: 600 V
- Voltaje máximo fuente – puerta Vgs: 30 V
- Corriente continua de drenaje Id: 11 A
- Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
- Tensión umbral entre puerta y fuente Vgs(th): 4 V
- Carga de la puerta (Qg): 28 nC
- Tiempo de subida (tr): 40 nS
- Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 670 pF
- Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.38 Ohm
- Paquete / Cubierta: TO-252
Salida de pines:
Hoja de datos:
Aplicaciones:
- Adaptadores
- Convertidores DC-DC
- Control de motor
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