Transistor MOSFET IRF510 Canal N 100V TO-220AB

El Transistor MOSFET IRF510 es un dispositivo de potencia de canal N diseñado para aplicaciones de conmutación, amplificación y control energético en sistemas electrónicos. Gracias a su tensión drenaje–fuente de 100 V y a su capacidad de corriente de drenaje de hasta 5.6 A, este MOSFET se adapta correctamente a diseños de electrónica de potencia, robótica y proyectos de ingeniería.

Este transistor presenta una resistencia drenaje–fuente en conducción de 0.54 ohms, por lo tanto, permite un equilibrio adecuado entre eficiencia y estabilidad térmica en aplicaciones de potencia media. Además, el Transistor MOSFET IRF510 soporta una potencia total de disipación de hasta 43 W, siempre que se utilice un sistema de disipación térmica adecuado.

El Transistor MOSFET IRF510 se controla con un voltaje compuerta–fuente de 4 V, lo que facilita su accionamiento desde circuitos de control de bajo nivel. Asimismo, cuenta con capacitancia, voltaje y corriente de avalancha totalmente caracterizados, garantizando un comportamiento predecible y seguro ante transitorios eléctricos.

Gracias a su baja carga de compuerta, el Transistor MOSFET IRF510 asegura un manejo sencillo y una conmutación eficiente, reduciendo las pérdidas dinámicas del sistema. Su encapsulado TO-220AB facilita el montaje mecánico y la disipación térmica, por lo tanto, se convierte en una solución confiable y versátil para aplicaciones profesionales y educativas en electrónica e ingeniería.

Funciones destacadas del Transistor MOSFET IRF510:

• Permite conmutación eficiente en aplicaciones de potencia media.
• Facilita el control gracias a su bajo voltaje de compuerta.
• Ofrece comportamiento estable frente a eventos de avalancha.
• Reduce pérdidas dinámicas por su baja carga de compuerta.
• Simplifica la integración y disipación térmica.

Aplicaciones comunes:

• Etapas de conmutación de potencia.
• Fuentes de alimentación conmutadas.
• Amplificadores y controladores electrónicos.
• Sistemas de automatización y control.
• Proyectos de robótica y prototipado electrónico.

Características técnicas:

• Tipo: Transistor MOSFET de potencia
• Modelo: IRF510
• Canal: N
• Tensión drenaje–fuente (VDS): 100 V
• Corriente de drenaje (ID): 5.6 A
• Resistencia drenaje–fuente (RDS(on)): 0.54 Ω
• Potencia total de disipación: 43 W
• Voltaje compuerta–fuente (VGS): 4 V
• Temperatura máxima de operación: 175 °C
• Características de avalancha: Totalmente caracterizadas
• Encapsulado: TO-220AB

Hoja de datos: IRS510 , IRF510 MOSFET

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