Transistor MOSFET IRF3708 N-Canal 30V 62A

El Transistor MOSFET IRF3708 es un dispositivo N-Canal de alta eficiencia diseñado para conmutación rápida y control preciso en sistemas de baja tensión y alta corriente. Gracias a su corriente continua de drenaje de 62 A y una tensión drenaje-fuente (Vds) de 30 V, este MOSFET es ideal para fuentes conmutadas, controladores de motores, inversores y proyectos de robótica avanzada.

Su baja resistencia RDS(on) de 0.012 Ω permite minimizar las pérdidas por conducción, mejorando la eficiencia energética y reduciendo el calentamiento del dispositivo. Con una tensión umbral de compuerta-fuente (Vgs(th)) de 2 V y una carga de compuerta (Qg) de 24 nC, el Transistor MOSFET IRF3708 puede controlarse fácilmente con señales lógicas estándar, haciéndolo compatible con microcontroladores, drivers MOSFET y controladores PWM.

Este dispositivo soporta una disipación total de 87 W y una temperatura operativa máxima de 175 °C, garantizando una alta fiabilidad incluso en condiciones exigentes. Su estructura interna optimizada reduce la capacitancia parásita, permitiendo una conmutación estable y rápida, ideal para sistemas de potencia compactos o de respuesta dinámica.

El Transistor MOSFET IRF3708 se utiliza ampliamente en proyectos de electrónica de potencia, automatización, robótica y control de energía, donde la eficiencia y la robustez son fundamentales.

Funciones destacadas del Transistor MOSFET IRF3708:

• Alta eficiencia energética con baja RDS(on) de 0.012 Ω.
• Corriente continua de hasta 62 A.
• Control lógico directo con Vgs(th) de 2 V.
• Disipación térmica optimizada hasta 87 W.
• Conmutación rápida y precisa para señales PWM.

Aplicaciones comunes:

• Controladores de motores DC y BLDC.
• Convertidores DC-DC y fuentes conmutadas.
• Sistemas de automatización y robótica.
• Inversores y etapas de potencia.
• Control de energía y gestión de baterías.

Características técnicas:

• Tipo de FET: MOSFET
• Polaridad: N-Canal
• Tensión drenaje-fuente (Vds): 30 V
• Corriente continua de drenaje (Id): 62 A
• Tensión compuerta-fuente (Vgs): ±12 V
• Tensión umbral compuerta-fuente (Vgs(th)): 2 V
• Resistencia drenaje-fuente (RDS(on)): 0.012 Ω
• Carga de compuerta (Qg): 24 nC
• Potencia disipada (Pd): 87 W
• Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C
• Tipo de encapsulado: TO-220 o equivalente

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