Transistor Mosfet de Potencia 6N65K3 Canal N

El transistor Mosfet de potencia 6N65K3 es un dispositivo semiconductor de canal N diseñado para aplicaciones que requieren alta tensión, corriente y eficiencia en la conmutación de potencia. Con un voltaje máximo Drain-Source (VDS) de 650 V y un voltaje Gate-Source (VGS) de ±30 V, este Mosfet ofrece un control preciso y estable en sistemas electrónicos de potencia.

Además, el 6N65K3 soporta una corriente máxima de Drain (ID) de 5.4 A y una potencia de disipación de hasta 30 W, permitiendo su uso en fuentes de alimentación conmutadas, inversores, controladores de motor y circuitos de amplificación de alta eficiencia. Su diseño robusto asegura operación confiable incluso bajo condiciones de alta demanda eléctrica.

Este transistor Mosfet de canal N facilita la integración en circuitos de electrónica industrial y de potencia, proporcionando rápida respuesta en conmutación y baja resistencia de conducción. Esto se traduce en menor pérdida de energía y mejor rendimiento térmico, optimizando el funcionamiento de sistemas que requieren alta eficiencia energética.

El 6N65K3 es ampliamente utilizado en aplicaciones donde se requiere confiabilidad, estabilidad y control preciso de corriente y voltaje. Su compatibilidad con diseños estándar de Mosfet permite su implementación en proyectos de ingeniería, robótica y electrónica de potencia sin necesidad de modificaciones complejas.

En consecuencia, el transistor Mosfet 6N65K3 representa una solución confiable, eficiente y de alto desempeño para sistemas electrónicos que demandan manejo seguro de tensiones y corrientes elevadas.

Funciones destacadas del transistor Mosfet 6N65K3:

• Conmutación y amplificación de alta potencia.
• Soporta voltaje Drain-Source de hasta 650 V.
• Voltaje Gate-Source de ±30 V.
• Corriente máxima de Drain de 5.4 A.
• Potencia de disipación de 30 W.
• Operación estable en sistemas de electrónica de potencia.

Aplicaciones comunes:

• Fuentes de alimentación conmutadas.
• Inversores y controladores de motor.
• Amplificadores de potencia y sistemas de audio.
• Proyectos de robótica y automatización industrial.
• Circuitos de electrónica de potencia de alta eficiencia.

Características técnicas:

• Tipo de dispositivo: Transistor Mosfet de potencia
• Modelo: 6N65K3
• Canal: N
• Voltaje Drain-Source (VDS): 650 V
• Voltaje Gate-Source (VGS): ±30 V
• Corriente Drain (ID): 5.4 A
• Potencia de disipación: 30 W

Hoja de datos:6N65K3

Para más Semiconductores de Potencia, consulte la sección Mosfets y Dispositivos de Conmutación.