Transistor MOSFET Canal N 400V TO-220

El Transistor MOSFET IRF720 es un dispositivo de potencia de canal N diseñado para aplicaciones que requieren conmutación confiable en rangos de alta tensión. Gracias a su tensión drenaje-fuente de 400 V y a su capacidad de manejar corrientes de hasta 10 A, este MOSFET se adapta a múltiples diseños de electrónica de potencia, automatización y control industrial.

Este transistor presenta una resistencia drenaje-fuente en conducción de solo 0.54 ohms, por lo tanto, reduce significativamente las pérdidas por conducción y mejora la eficiencia global del sistema. Además, el Transistor MOSFET IRF720 soporta una potencia total de disipación de hasta 134 W, siempre que se utilice una adecuada gestión térmica, lo que permite su operación estable incluso bajo cargas exigentes.

Otro aspecto clave del Transistor MOSFET IRF720 es su voltaje máximo compuerta-fuente de 30 V, lo que proporciona un margen seguro para el control del dispositivo. Asimismo, cuenta con capacitancia, voltaje y corriente de avalancha totalmente caracterizados, garantizando un comportamiento predecible y seguro frente a transitorios eléctricos.

La baja carga de compuerta del Transistor MOSFET IRF720 asegura un manejo sencillo y una conmutación rápida, lo que resulta especialmente útil en fuentes conmutadas, inversores y etapas de potencia de alta eficiencia. Su encapsulado TO-220 facilita la integración mecánica y la disipación térmica, por lo tanto, se convierte en una solución robusta y versátil para proyectos de electrónica, robótica e ingeniería.

Funciones destacadas del Transistor MOSFET IRF720:

• Permite conmutación eficiente en alta tensión.
• Reduce pérdidas gracias a su baja resistencia en conducción.
• Soporta alta disipación de potencia.
• Garantiza manejo sencillo por su baja carga de compuerta.
• Ofrece comportamiento confiable ante eventos de avalancha.

Aplicaciones comunes:

• Fuentes de alimentación conmutadas.
• Inversores y convertidores de potencia.
• Control de motores y cargas inductivas.
• Etapas de conmutación de alta tensión.
• Proyectos de electrónica industrial.

Características técnicas:

• Tipo: Transistor MOSFET de potencia
• Modelo: IRF720
• Canal: N
• Tensión drenaje-fuente (VDS): 400 V
• Corriente de drenaje (ID): 10 A
• Resistencia drenaje-fuente (RDS(on)): 0.54 Ω
• Potencia total de disipación: 134 W
• Voltaje compuerta-fuente (VGS): 30 V
• Características de avalancha: Totalmente caracterizadas
• Encapsulado: TO-220

Hoja de datos: IRF740 , Descripción IRF740

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