Transistor Mosfet 80NF70
$ 2.0
El transistor Mosfet 80NF70 es un MOSFET de potencia de canal N, que se ha diseñado para minimizar la capacitancia de entrada y la de puerta. Por lo tanto, el dispositivo es adecuado para aplicaciones avanzadas de conmutación de alta eficiencia.
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El transistor Mosfet 80NF70, es un MOSFET de potencia de canal N, se ha diseñado para minimizar la capacitancia de entrada y de puerta, es perfecto para aplicaciones que requieran tiempo de conmutación cortos y una alta eficiencia, cuenta con tres terminales las cuales son Drain, Gate y Source, cuenta ademas con una capacidad de 98 A ID soportando corrientes que otros transistores MOSFET no toleran.
Cantidad
- 1 unidad – Transistor Mosfet 80NF70
Características
- Transistor: Mosfet de potencia.
- Tensión umbral entre puerta y fuente Vgs(th): 4 V.
- Polaridad del transistor: Canal N.
- Voltaje Drain – Source (VDS): 68 V
- Corriente de drenaje pulsada IDP: 392 A.
- Resistencia de activación RDS(on) typ: 0.0098 Ohms.
- Temperatura de operación mínima: -40 °C.
- Temperatura de operación máxima: 175 °C.
- Baja QG para una respuesta rápida.
- Alta capacidad de corriente pico repetitiva para un funcionamiento fiable.
- Breve caída y tiempos de subida para una conmutación rápida.
- Capacidad de avalanchas repetitivas para robustez y fiabilidad.
- Baja resistencia por área de silicio.
- Encapsulado: TO-220.
- Número de pines: 3.
- Voltaje Gate – Source (VGS): ± 20 V
- Corriente Drain (ID) a T=25 ° C: 98 A
- Corriente Drain (ID) a T=100 ° C: 68 A
- Disipación Total (Ptot): 190 W
Aplicación
- Aplicaciones de conmutación
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