Transistor MOSFET 2SJ330 Canal P 60 V 20 A MP-45F

El MOSFET 2SJ330 de canal P es un transistor de potencia desarrollado originalmente por NEC para aplicaciones de conmutación. Ofrece una tensión máxima drenador-fuente de −60 V y una corriente continua de drenador de hasta −20 A en las condiciones indicadas en la hoja de datos. Presenta una resistencia de conducción típica de 40 mΩ con una tensión compuerta-fuente de −10 V y una corriente de drenador de −10 A, lo que permite reducir las pérdidas por conducción cuando se utiliza dentro de sus parámetros eléctricos y térmicos.

Este componente está diseñado para controlar cargas como motores, solenoides y lámparas, además de utilizarse en etapas de conmutación de potencia. Incorpora diodos de protección entre compuerta y fuente y utiliza un encapsulado de montaje pasante de tres terminales. Antes de instalarlo o sustituirlo, se recomienda comprobar el pinout, la tensión de accionamiento de compuerta, la disipación térmica y la compatibilidad con el circuito. El modelo original de NEC figura como obsoleto, por lo que es conveniente verificar el fabricante y la procedencia de la pieza adquirida.

Características destacadas del MOSFET 2SJ330

• Transistor MOSFET de potencia de canal P.
• Tensión máxima drenador-fuente de −60 V.
• Corriente continua de drenador de hasta −20 A, según las condiciones térmicas especificadas.
• Corriente pulsada de hasta −80 A bajo condiciones de pulso específicas.
• Resistencia de conducción típica de 40 mΩ a VGS = −10 V e ID = −10 A.
• Resistencia de conducción típica de 70 mΩ a VGS = −4 V e ID = −8 A.
• Diodos de protección integrados entre compuerta y fuente.
• Encapsulado MP-45F de tres terminales.

Usos comunes en electrónica

• Control y accionamiento de motores eléctricos.
• Circuitos de activación de solenoides y relés compatibles.
• Control electrónico de lámparas y otras cargas.
• Etapas de conmutación de potencia.
• Fuentes de alimentación y convertidores compatibles.
• Reparación y mantenimiento de equipos electrónicos.
• Proyectos de electrónica de potencia.

Características técnicas

• Modelo: 2SJ330.
• Tipo: MOSFET de potencia.
• Canal: P.
• Fabricante original: NEC.
• Estado del modelo original: Obsoleto.
• Tensión drenador-fuente (VDSS): −60 V.
• Tensión compuerta-fuente (VGS): ±20 V en corriente alterna; de −20 V a +10 V en corriente continua, según la hoja de datos.
• Corriente continua de drenador (ID): −20 A, bajo las condiciones especificadas.
• Corriente pulsada de drenador (IDM): −80 A, bajo condiciones de pulso específicas.
• Resistencia de conducción típica (RDS(on)): 40 mΩ a VGS = −10 V e ID = −10 A.
• Resistencia de conducción típica (RDS(on)): 70 mΩ a VGS = −4 V e ID = −8 A.
• Disipación máxima de potencia: 35 W con la carcasa a Tc = 25 °C.
• Temperatura máxima de unión: 150 °C.
• Capacitancia de entrada típica (Ciss): 2570 pF.
• Encapsulado: MP-45F.
• Montaje: A través de orificios.
• Número de terminales: 3.
• Distribución de terminales: 1. Gate, 2. Drain, 3. Source.
• Aplicación principal: Conmutación de potencia y control de cargas.

Datasheet:

-2SJ330-

Contenido relacionado

Para más componentes de esta categoría, consulte la seccion Transistores

Para mas informacion, consulte -2SJ330-