Transistor 2SD2012 NPN
$ 0.5
Es un transistor de potencia NPN de silicio alojado en un paquete aislado TO-220F. Está diseñado para aplicaciones en potencia lineal y conmutación.
10 disponibles
7 años de experiencia en robótica competitiva.
Category
$ 0.5
Es un transistor de potencia NPN de silicio alojado en un paquete aislado TO-220F. Está diseñado para aplicaciones en potencia lineal y conmutación.
10 disponibles
Características :
Hoja de datos : 2SD2012
Debes acceder para publicar una valoración.
TIP32C Transistor BJT PNP -100V / -3A TO-220 es un semiconductor bipolar de alta potencia de juntura PNP.
Este transistor es capaz de disipar hasta 40W, puede controlar dispositivos que consuman hasta 3A o que requieran tensiones de hasta 100VDC.
El transistor 2SC945 de pequeña señal diseñado para el uso en aplicaciones de etapa de manejo del amplificador AF y conmutación de baja velocidad.
TIP30C Transistor BJT PNP 100V / 1A TO-220 es un semiconductor bipolar de alta potencia de juntura PNP.
Este transistor es capaz de disipar hasta 30W, puede controlar dispositivos que consuman hasta 1A o que requieran tensiones de hasta 100VDC.
Transistor de empalme bipolar BC557B 100mA 50V BJT PNP Está diseñado para la baja de corriente media, baja potencia, de media tensión, y puede operar a moderadamente altas velocidades.
Cantidad : 10 Transitores BC557B
El FDN360P es un MOSFET de un solo canal P de montaje en superficie en paquete SOT-23. Se ha diseñado para minimizar la resistencia en el estado activo y mantener una carga de puerta baja para un rendimiento de conmutación superior. Este dispositivo es adecuado para aplicaciones de bajo voltaje y alimentadas por batería.
Escríbenos a WhatsApp
Valoraciones
No hay valoraciones aún.