Transistor 2SD2012 NPN
$ 0.5
Es un transistor de potencia NPN de silicio alojado en un paquete aislado TO-220F. Está diseñado para aplicaciones en potencia lineal y conmutación.
7 disponibles
7 años de experiencia en robótica competitiva.
$ 0.5
Es un transistor de potencia NPN de silicio alojado en un paquete aislado TO-220F. Está diseñado para aplicaciones en potencia lineal y conmutación.
7 disponibles
Características :
Hoja de datos : 2SD2012
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Transistor de empalme bipolar 2N5551 600mA 180V BJT NPN Está diseñado para la baja de corriente media, baja potencia, de media tensión, y puede operar a moderadamente altas velocidades.
Cantidad: 10 transistores 2N5551
Transistor de empalme bipolar 2N5401 500mA 160V BJT PNP Está diseñado para la baja de corriente media, baja potencia, de media tensión, y puede operar a moderadamente altas velocidades.
Cantidad: 10 transistores 2N5401
TIP41C Transistor BJT NPN 100V 6A TO-220, semiconductor bipolar de alta potencia de juntura NPN.
Capaz de disipar hasta 65W, puede controlar dispositivos que consuman hasta 6A o que requieran tensiones de hasta 100VDC
2SC5200 Transistor BJT NPN es capaz de disipar hasta 150W, puede controlar dispositivos que consuman hasta 15A o que requieran tensiones de hasta 230VDC.
Su juntura es NPN, con un factor de amplificación (hFE) que varía de acuerdo a la carga a utilizar, variando entre 35 y 160.
Dispositivo diseñado para etapas de salida de sonido en amplificadores de frecuencia de audio de alta fidelidad de 100W.
2SA1943 Transistor BJT PNP es capaz de disipar hasta 150W, puede controlar dispositivos que consuman hasta 15A o que requieran tensiones de hasta 230VDC.
Su juntura es PNP, con un factor de amplificación (hFE) que varía de acuerdo a la carga a utilizar, variando entre 35 y 160.
Dispositivo diseñado para etapas de salida de sonido en amplificadores de frecuencia de audio de alta fidelidad de 100W.
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