Transistor 2SD2012 NPN
$ 0.5
Es un transistor de potencia NPN de silicio alojado en un paquete aislado TO-220F. Está diseñado para aplicaciones en potencia lineal y conmutación.
7 disponibles
7 años de experiencia en robótica competitiva.
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Es un transistor de potencia NPN de silicio alojado en un paquete aislado TO-220F. Está diseñado para aplicaciones en potencia lineal y conmutación.
7 disponibles
Características :
Hoja de datos : 2SD2012
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Transistor de empalme bipolar BC557B 100mA 50V BJT PNP Está diseñado para la baja de corriente media, baja potencia, de media tensión, y puede operar a moderadamente altas velocidades.
Cantidad : 10 Transitores BC557B
Transistor bipolar NPN de baja potencia y uso general, sirve para aplicaciones de amplificación y conmutación. Amplificar pequeñas corrientes a tensiones pequeñas o medias; se puede implementar en amplificadores de sonido, puente H.
Cantidad: 10 transistores 2N3904
El 2N2907 es un transistor de unión bipolar PNP utilizado para los fines generales de amplificación de baja potencia o aplicaciones de conmutación. Está diseñado para la baja de corriente media, baja potencia, de media tensión, y puede operar a moderadamente altas velocidades.
Cantidad: 10 transistores 2N2907
2SA1943 Transistor BJT PNP es capaz de disipar hasta 150W, puede controlar dispositivos que consuman hasta 15A o que requieran tensiones de hasta 230VDC.
Su juntura es PNP, con un factor de amplificación (hFE) que varía de acuerdo a la carga a utilizar, variando entre 35 y 160.
Dispositivo diseñado para etapas de salida de sonido en amplificadores de frecuencia de audio de alta fidelidad de 100W.
Transistor bipolar PNP de baja potencia y uso general, sirve para aplicaciones de amplificación y conmutación. Amplificar pequeñas corrientes a tensiones pequeñas o medias; se puede implementar en amplificadores de sonido, puente H.
Cantidad: 10 transistores 2N3906
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