Transistor MOSFET IGBT 30J124
$ 0.8
IGBT 30J124 es un transistor MOSFET que se usa como interruptor en circuitos de electrónica de potencia con un voltaje de colector a emisor de 600V.
18 disponibles
Cantidad:
- 1 unidad – transistor MOSFET IGBT TO220 SIS
Antes del desarrollo de los IGBT, los MOSFET de potencia se usaban para aplicaciones de amplificadores de potencia que requerían una alta impedancia de entrada y una conmutación rápida. Sin embargo, a voltajes altos, la resistencia en estado activo aumenta rápidamente a medida que aumenta el voltaje de ruptura. Por tanto, es difícil mejorar la pérdida de conducción de los MOSFET de potencia.
Este dispositivo posee las características de las señales de puerta de los transistores de efecto campo con la capacidad de alta corriente y bajo voltaje de saturación del transistor bipolar, combinando una puerta aislada FET para la entrada de control y un transistor bipolar como interruptor en un solo dispositivo. El circuito de excitación del IGBT es como el del MOSFET, mientras que las características de conducción son como las del BJT.
Características:
- Encapsulado TO-220 SIS
- Voltaje de colector a emisor VCES 600V
- Corriente continua de colector IC 200 A
- Disipación de potencia máxima 25 W
- Temperatura de unión 25°C
- 5th Generación
- Voltaje de saturación VCE 2.4 V
Aplicaciones:
- Interruptor controlado en alta potencia
Hoja de datos: 30J124
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