Transistor 2SD2012 NPN
$ 2,000.0
Es un transistor de potencia NPN de silicio alojado en un paquete aislado TO-220F. Está diseñado para aplicaciones en potencia lineal y conmutación.
7 disponibles
7 años de experiencia en robótica competitiva.
$ 2,000.0
Es un transistor de potencia NPN de silicio alojado en un paquete aislado TO-220F. Está diseñado para aplicaciones en potencia lineal y conmutación.
7 disponibles
Características :
Hoja de datos : 2SD2012
Debes acceder para publicar una valoración.
TIP32C Transistor BJT PNP -100V / -3A TO-220 es un semiconductor bipolar de alta potencia de juntura PNP.
Este transistor es capaz de disipar hasta 40W, puede controlar dispositivos que consuman hasta 3A o que requieran tensiones de hasta 100VDC.
2N4403 Transistor BJT PNP -40V / -600mA TO-92, semiconductor bipolar de juntura PNP.
Transistor de baja potencia, capaz de disipar hasta 625mW y controlar dispositivos que consuman hasta 600mA o que requieran tensiones de hasta 40VDC
TIP30C Transistor BJT PNP 100V / 1A TO-220 es un semiconductor bipolar de alta potencia de juntura PNP.
Este transistor es capaz de disipar hasta 30W, puede controlar dispositivos que consuman hasta 1A o que requieran tensiones de hasta 100VDC.
2SC5200 Transistor BJT NPN es capaz de disipar hasta 150W, puede controlar dispositivos que consuman hasta 15A o que requieran tensiones de hasta 230VDC.
Su juntura es NPN, con un factor de amplificación (hFE) que varía de acuerdo a la carga a utilizar, variando entre 35 y 160.
Dispositivo diseñado para etapas de salida de sonido en amplificadores de frecuencia de audio de alta fidelidad de 100W.
El transistor IRF3205 MOSFET es perfecto para aplicaciones de alta potencia como control de motores, fuentes de alimentación y convertidores DC-DC.
Escríbenos a WhatsApp
Valoraciones
No hay valoraciones aún.