Transistor 2SD2012 NPN
$ 0.5
Es un transistor de potencia NPN de silicio alojado en un paquete aislado TO-220F. Está diseñado para aplicaciones en potencia lineal y conmutación.
7 disponibles
7 años de experiencia en robótica competitiva.
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Es un transistor de potencia NPN de silicio alojado en un paquete aislado TO-220F. Está diseñado para aplicaciones en potencia lineal y conmutación.
7 disponibles
Características :
Hoja de datos : 2SD2012
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TIP30C Transistor BJT PNP 100V / 1A TO-220 es un semiconductor bipolar de alta potencia de juntura PNP.
Este transistor es capaz de disipar hasta 30W, puede controlar dispositivos que consuman hasta 1A o que requieran tensiones de hasta 100VDC.
Transistor de empalme bipolar 2N4401 NPN 600mA 60V BJT NPN utilizado para los fines de empalme Está diseñado para la baja de corriente media, baja potencia, de media tensión, y puede operar a moderadamente altas velocidades.
Cantidad: 10 transistores BC546B
Transistor de empalme bipolar BC546B BJT NPN utilizado para los fines de empalme Está diseñado para la baja de corriente media, baja potencia, de media tensión, y puede operar a moderadamente altas velocidades.
Cantidad: 10 transistores BC546B
El 2N2907 es un transistor de unión bipolar PNP utilizado para los fines generales de amplificación de baja potencia o aplicaciones de conmutación. Está diseñado para la baja de corriente media, baja potencia, de media tensión, y puede operar a moderadamente altas velocidades.
Cantidad: 10 transistores 2N2907
Transistor de empalme bipolar BC557B 100mA 50V BJT PNP Está diseñado para la baja de corriente media, baja potencia, de media tensión, y puede operar a moderadamente altas velocidades.
Cantidad : 10 Transitores BC557B
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