MOSFET de Potencia N-Channel IRFP360 400V 23A TO-247

El IRFP360 es un MOSFET de potencia N-Channel de modo enriquecimiento, desarrollado para aplicaciones que requieren alta tensión, elevada capacidad de corriente y conmutación rápida. La versión documentada por Vishay utiliza tecnología de MOSFET de potencia de tercera generación y está diseñada para ofrecer baja resistencia de conducción, robustez y facilidad de conexión en paralelo.

El dispositivo presenta una tensión máxima VDS de 400 V, corriente continua de hasta 23 A a 25 °C y 14 A a 100 °C. Su resistencia máxima RDS(on) es de 0.20 Ω, especificada con VGS = 10 V. También cuenta con capacidad de avalancha y una corriente pulsada de hasta 92 A, según las condiciones indicadas en el datasheet.

El encapsulado TO-247AC está pensado para aplicaciones comerciales e industriales de mayor potencia y ofrece buenas características térmicas. Por sus prestaciones, el IRFP360 puede emplearse en fuentes de alimentación conmutadas, convertidores, controladores de motores, inversores, circuitos chopper, amplificadores de audio y circuitos de pulsos de alta energía.

Funciones destacadas

• MOSFET de potencia de canal N.
• Tecnología de conmutación de alta velocidad.
• Tensión Drain-Source de hasta 400 V.
• Corriente continua de hasta 23 A.
• Baja resistencia RDS(on).
• Capacidad de avalancha repetitiva.
• Alta capacidad de corriente pulsada.
• Fácil conexión en paralelo.
• Compuerta de alta impedancia.
• Encapsulado TO-247.
• Diseñado para aplicaciones de alta potencia.

Usos comunes

• Fuentes de alimentación conmutadas.
• Convertidores DC-DC.
• Inversores.
• Controladores de motores.
• Circuitos chopper.
• Amplificadores de audio de potencia.
• Sistemas UPS.
• Controladores de relés.
• Convertidores de potencia.
• Circuitos de pulsos de alta energía.

Características técnicas

• Modelo: IRFP360.
• Tipo: MOSFET de potencia.
• Canal: N-Channel.
• Modo: Enriquecimiento.
• VDS máximo: 400 V.
• ID continuo: 23 A a 25 °C.
• ID continuo a 100 °C: 14 A.
• ID pulsado: 92 A.
• RDS(on) máximo: 0.20 Ω.
• VGS máximo: ±20 V.
• Disipación máxima: 280 W.
• Temperatura de unión: -55 °C a +150 °C.
• Encapsulado: TO-247AC.
• Montaje: Through Hole (THT).

Datasheet

IRFP360 – 400V N-Channel Power MOSFET – Vishay Siliconix.

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