MOSFET IRF3205S Canal N SOT 263
El MOSFET IRF3205S Canal N en encapsulado SOT-263 combina alta capacidad de corriente, baja resistencia y montaje SMD, perfecto para aplicaciones de potencia.
El MOSFET IRF3205S Canal N SOT-263 es un transistor de efecto de campo diseñado para aplicaciones de conmutación y control de potencia que requieren alta eficiencia y confiabilidad. Con una tensión de drenaje a fuente (VDS) de 55 V y una corriente continua de drenaje (ID) de hasta 110 A, este dispositivo es ideal para sistemas de alto rendimiento.
Gracias a su encapsulado SOT-263 (D2PAK), el MOSFET IRF3205S Canal N SOT-263 ofrece una excelente disipación térmica y facilidad de montaje superficial en placas electrónicas. Su baja corriente de fuga y alta capacidad de disipación de potencia (200 W) lo convierten en una solución robusta para aplicaciones automotrices, industriales y electrónicas de consumo.
Este MOSFET también garantiza un funcionamiento confiable en un amplio rango de temperatura, de -55°C a 175°C, adaptándose a entornos exigentes sin perder estabilidad.
Funciones destacadas:
- Alta capacidad de corriente de hasta 110 A.
- Encapsulado SOT-263 de montaje superficial.
- Baja resistencia y excelente eficiencia de conmutación.
- Disipación de potencia de hasta 200 W.
- Operación confiable en un rango de -55°C a 175°C.
Usos comunes:
- Fuentes de alimentación conmutadas.
- Controladores de motores.
- Sistemas automotrices de potencia.
- Convertidores DC-DC.
- Aplicaciones industriales de alta corriente.
Características técnicas:
- Tipo: MOSFET Canal N.
- Modelo: IRF3205S.
- Encapsulado: SOT-263 (D2PAK).
- Pines: 3.
- Voltaje VDS: 55 V.
- Voltaje de compuerta VGS: 4 V.
- Corriente continua ID: 110 A.
- Corriente máxima por pulso IDM: 390 A.
- Corriente de fuga IGS: ±100 nA.
- Corriente de drenaje IDS: 25 µA.
- Disipación total de potencia: 200 W.
- Factor de disipación lineal: 1.3 W/°C.
- Montaje: SMD.
- Temperatura de trabajo: -55°C a 175°C.
- Dimensiones: 10.10 x 15.40 mm.
- Peso: 1.42 g.
En conclusión, el IRF3205S es una solución confiable y eficiente para proyectos de alta potencia que requieren un componente compacto, robusto y de gran capacidad de conducción.
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Datasheet: MOSFET IRF3205S Canal N SOT-263
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