MOSFET Canal-P AOD417 (TO-252)

El AOD417 es un MOSFET canal-P de potencia diseñado con tecnología de trinchera avanzada para ofrecer un excelente equilibrio entre conducción de corriente, baja resistencia interna y rápida conmutación. Este dispositivo está pensado para aplicaciones que requieren eficiencia energética, robustez y fiabilidad, como sistemas automotrices, controladores de energía, fuentes de alimentación conmutadas y módulos de batería.

Su encapsulado TO-252 (D-PAK) facilita la disipación de calor en aplicaciones de alta demanda, permitiendo manejar hasta 25 A de corriente continua y hasta 60 A en modo pulsado. Gracias a su resistencia de conducción extremadamente baja (34 mΩ a VGS = –10 V), el AOD417 minimiza las pérdidas de energía, lo que resulta en una operación más eficiente y con menor generación de calor. Incluso trabajando con un voltaje de compuerta de –4.5 V, mantiene un valor bajo de resistencia (55 mΩ), lo que garantiza un funcionamiento confiable en sistemas de control de bajo voltaje.

El voltaje máximo de drenaje-fuente es de –30 V, lo que lo hace adecuado para aplicaciones en sistemas de alimentación de 12 V o 24 V. Su carga de compuerta relativamente baja (Qg ≈ 16 nC) facilita el manejo desde controladores estándar, manteniendo conmutaciones rápidas y eficientes. Además, soporta temperaturas de operación de hasta 175 °C, lo que refuerza su uso en entornos industriales y automotrices exigentes.

Funciones destacadas del MOSFET AOD417:

• Canal-P de 30 V con corriente de hasta 25 A continua.
• Baja RDS(on) de solo 34 mΩ, que reduce pérdidas por conducción.
• Encapsulado TO-252 (D-PAK) de alta eficiencia térmica.
• Carga de compuerta baja, ideal para controladores de conmutación rápida.
• Operación confiable hasta 175 °C.

Aplicaciones típicas:

• Regulación de voltaje en sistemas de baterías y automóviles.
• Conmutación de alto lado en fuentes conmutadas.
• Protección y control de carga en sistemas de energía renovable.
• Módulos de alimentación y drivers de motores.

Características técnicas:

• Modelo: AOD417
• Tipo: MOSFET canal-P, modo de mejora
• Voltaje drenaje-fuente (VDS): –30 V
• Corriente continua (ID): –25 A @ 25 °C
• Corriente pulso (ID,pulse): –60 A
• RDS(on): 34 mΩ (–10 V); 55 mΩ (–4.5 V)
• Encapsulado: TO-252 (D-PAK)
• Carga de compuerta (Qg): ~16 nC
• Temperatura de operación: –55 °C a +175 °C
• Disipación de potencia (PD): 50 W @ Tc

El MOSFET AOD417 combina eficiencia, tamaño compacto y robustez eléctrica, siendo una opción confiable para ingenieros y desarrolladores que buscan un componente confiable en sistemas de potencia y conmutación rápida.

Datasheet: D417