Etiqueta: Mosfet
Mosfet
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Mosfet de potencia NCE80H12
$ 3.500,0Añadir al carritoEl Mosfet de potencia NCE80H12 esta diseñado con tiempos de conmutación muy cortos, obteniendo una alta eficiencia en sus diversas aplicaciones. Cuenta con un excelente encapsulado que proporciona una correcta disipacion del calor.
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Transistor Mosfet 60R360Q
$ 5.900,0Añadir al carritoEl MMF60R360Q es un MOSFET de potencia que utiliza la avanzada tecnología de superunión de magnachip que puede tener muy baja resistencia de encendido y carga de puerta. Proporcionará una eficiencia muy alta mediante el uso de tecnología de acoplamiento de carga optimizada. Estos dispositivos fáciles de usar ofrecen una ventaja de baja EMI a los diseñadores, así como una baja pérdida de conmutación.
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El Transistor MOSFET IRF510 proporciona conmutación estable y eficiente en aplicaciones de potencia media. Ofrece manejo sencillo y encapsulado robusto.
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El Transistor MOSFET IRF520 ofrece conmutación eficiente y control confiable de potencia. Su encapsulado TO-220AB facilita disipación térmica.
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Transistor MOSFET Canal N 400V TO-220
$ 1.800,0Añadir al carritoEl Transistor MOSFET IRF720 ofrece conmutación eficiente en aplicaciones de alta tensión. Combina baja carga de compuerta y alta capacidad de disipación.
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El Transistor MOSFET BSS138LT1G ofrece conmutación eficiente de señal en formato SMD. Canal N, bajo consumo y alta confiabilidad para circuitos compactos.
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El Transistor IGBT 30F126 permite conmutación eficiente de alta corriente. Canal N, 330V y 200A, ideal para sistemas de potencia exigentes.
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Transistor IGBT 30F124 300V 200A TO-220
$ 5.000,0Añadir al carritoEl Transistor IGBT 30F124 ofrece conmutación eficiente de alta corriente. Soporta 300V y 200A, con encapsulado TO-220 y tecnología de sexta generación.
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Transistor IGBT 30J127 600V 200A TO-220
$ 5.000,0Añadir al carritoEl Transistor IGBT 30J127 permite conmutación de alta potencia con estabilidad y eficiencia. Soporta 600V y 200A en encapsulado TO-220.
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Transistor IGBT 30J124 600V 200A TO-220
$ 3.000,0Añadir al carritoEl Transistor IGBT 30J124 ofrece conmutación eficiente de alta potencia. Soporta 600V y 200A, con baja saturación y encapsulado TO-220.
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El Transistor Mosfet IRFR3707Z permite conmutación eficiente a baja tensión.
Además, maneja corrientes elevadas con excelente estabilidad térmica.
Es ideal para proyectos exigentes de electrónica de potencia. -
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El Transistor Mosfet IRFR4105Z garantiza conmutación eficiente y estable.
Además, maneja corrientes elevadas con bajas pérdidas por conducción.
Es ideal para electrónica de potencia y sistemas de control. -
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El Transistor Mosfet IRFR3709Z permite conmutación eficiente a baja tensión.
Además, maneja corrientes elevadas con mínima pérdida por conducción.
Es ideal para electrónica de potencia y control avanzado. -
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El Transistor Mosfet IRFR3711Z permite conmutación eficiente a baja tensión.
Además, soporta corrientes elevadas en encapsulado SMD.
Es ideal para etapas de potencia de alta velocidad. -
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El Transistor Mosfet IRFR3710Z proporciona conmutación rápida y eficiente.
Además, soporta alto voltaje y corriente en encapsulado SMD.
Es ideal para electrónica de potencia y control. -
Transistor Mosfet RD15HVF1 N 30V 4A TO-220S
$ 38.000,0Añadir al carritoEl Transistor Mosfet RD15HVF1 ofrece conmutación eficiente y confiable.
Además, soporta alta disipación de potencia y operación estable.
Ideal para proyectos electrónicos y aplicaciones de potencia. -
Transistor MOSFET P-Channel IRFP9140
$ 6.500,0Añadir al carritoEl Transistor Mosfet IRFP9140 es un dispositivo P-Channel de alta potencia, confiable y eficiente, perfecto para control de energía y aplicaciones de conmutación rápida en electrónica.
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El transistor MOSFET IRF840 N-Channel soporta hasta 500V y 8A, ideal para fuentes conmutadas, inversores y sistemas de control de potencia de alta tensión.
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El transistor MOSFET IRF640N N-Channel ofrece alta tensión de trabajo y baja resistencia, ideal para fuentes conmutadas, inversores y controladores de potencia.
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El transistor MOSFET IRF540N N-Channel ofrece alta corriente y baja pérdida de conducción. Ideal para control de potencia, fuentes conmutadas y motores eléctricos.
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El transistor MOSFET IRF530N N-Channel ofrece alta eficiencia y baja resistencia, ideal para fuentes de poder, control de motores y aplicaciones de conmutación.
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El Transistor MOSFET IRFR3607 ofrece alta corriente, baja resistencia y conmutación rápida para aplicaciones de potencia y control electrónico.
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El Transistor MOSFET IRFR3806 combina baja resistencia, rápida conmutación y alta fiabilidad para aplicaciones de potencia y control electrónico
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El Transistor MOSFET IRF6218 P-Canal combina alta tensión, baja resistencia y excelente disipación térmica para control y conmutación de potencia.
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El Transistor MOSFET IRF3703 ofrece ultra baja resistencia, alta capacidad de corriente y conmutación rápida para aplicaciones de potencia intensiva.
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