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Etiqueta: canal n

canal n

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  • IRL530N MOSFET de potencia canal N de 100 V y 17 A

    98 disponibles

    El IRL530N es un MOSFET de potencia de canal N, diseñado para aplicaciones de conmutación de alta corriente. Soporta una tensión máxima drenador-fuente de 100 V y una corriente continua de hasta 17 A a 25 °C, según las condiciones especificadas por el fabricante.

    Su característica Logic Level permite obtener una baja resistencia de conducción con tensiones de compuerta relativamente bajas, alcanzando hasta 150 mΩ a VGS = 4.5 V según la especificación del fabricante. El IRL530N original utiliza encapsulado TO-220 y actualmente figura como producto descontinuado; existe la variante SMD IRL530NS en D2PAK.

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  • Transistor MOSFET IRFP240 de canal N, 200V y 20A en encapsulado TO-247AC.

    15 disponibles

    El IRFP240 es un MOSFET de potencia de canal N (N-Channel) diseñado para aplicaciones de conmutación y control de potencia. Soporta una tensión Drain-Source de 200 V, una corriente continua de hasta 20 A y una resistencia RDS(on) máxima de 0.18 Ω. Su encapsulado TO-247 permite una buena disipación térmica, siendo adecuado para fuentes conmutadas, control de motores, amplificadores de audio, convertidores y aplicaciones de alta potencia.

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  • MOSFET IRF721 de canal N, 350V y 3.3A, en encapsulado TO-220 para aplicaciones de conmutación de potencia.

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    El IRF721 es un MOSFET de potencia de canal N (N-Channel) diseñado para aplicaciones de conmutación de alta tensión y alta velocidad. Soporta una tensión Drain-Source de hasta 350 V, una corriente continua de aproximadamente 3.3 A a 25 °C y una resistencia RDS(on) máxima de 1.8 Ω. Se utiliza en fuentes de alimentación conmutadas, UPS, control de motores, relés y solenoides.

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  • Transistor HY3810 MOSFET Canal N de 100V y alta corriente para inversores y fuentes switching

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    El HY3810 es un MOSFET Canal N de alta corriente diseñado para aplicaciones de conmutación, inversores, fuentes de alimentación y sistemas de gestión de potencia.

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  • Transistor MOSFET 25NM60N Canal N de 600V para fuentes switching e inversores electrónicos

    27 disponibles

    El 25NM60N es un MOSFET Canal N de alta tensión ideal para fuentes switching, inversores y aplicaciones de electrónica de potencia de hasta 600V.

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  • Transistor SPA11N80 TO-220 11N80

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    El transistor SPA11N80 TO-220 11N80 es un MOSFET de alta tensión diseñado para aplicaciones que requieren alta eficiencia y confiabilidad en el manejo de cargas eléctricas.

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  • Transistor MOSFET FQPF8N60C

    18 disponibles

    El FQPF8N60C es un MOSFET N-Channel de 600V y 8A, diseñado para conmutación eficiente en aplicaciones de alta potencia y rendimiento confiable.

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  • Transistor MOSFET IGBT 20N60C3

    8 disponibles

    El Transistor MOSFET IGBT 20N60C3 está diseñado especialmente para garantizar un rendimiento de conmutación muy eficiente, además soporta picos de energía.

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  • Mosfet FDA70N20 Canal N

    Mosfet FDA70N20 Canal N

    $ 8.500,0 +IVA

    27 disponibles

    El Mosfet FDA70N20 Canal N esta diseñado especialmente para soportar picos de energía haciéndolo ideal para aplicaciones de potencia.

     

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  • Transistor 2N5457 JFET Canal N TO-92

    37 disponibles

    El Transistor 2N5457 JFET Canal N ofrece excelente linealidad y baja corriente de fuga. Ideal para amplificación y control de señal en circuitos analógicos.

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$ 2.200,0

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