Categoría: Transistores
Transistores
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Añadir al carritoEl Transistor MOSFET NCE4688 es un dispositivo N de alta eficiencia, con 60V, 6.1A, baja resistencia RDS(on) y encapsulado SOP8, ideal para aplicaciones de conmutación y control de potencia.
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El Transistor MOSFET FTP23N10A canal N maneja hasta 100V y 57A, con baja resistencia RDS(on) y rápida conmutación para aplicaciones de potencia media.
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El conjunto Transistores A2222 y C6144 ofrece un par complementario NPN-PNP de 100V y 3A, ideal para amplificadores y sistemas de control de potencia.
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El Transistor IGBT 60T65 combina baja caída de tensión y alta corriente, ofreciendo conmutación eficiente y estable en aplicaciones industriales y energéticas.
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El Transistor MOSFET IRFB4115 tipo N maneja hasta 150V y 104A, con baja resistencia RDS(on), ideal para aplicaciones de potencia y control electrónico.
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El Transistor IGBT FGH40N60SFD combina 600V y 80A en un diseño eficiente tipo TO-247, con baja pérdida y alta velocidad de conmutación para aplicaciones de potencia.
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El Transistor IGBT FGH60N60S combina alta corriente, rápida conmutación y baja VCE(sat) de 1.9V, ideal para controladores de potencia e inversores de alta eficiencia.
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El Transistor MOSFET 2N7000 canal N permite conmutar señales hasta 60V y 0.35A con baja carga de compuerta, ideal para controladores y circuitos lógicos.
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El Transistor MOSFET IRFZ44N ofrece conmutación rápida y eficiente con 55V, 49A y baja resistencia interna, ideal para controladores de potencia y fuentes DC.
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El Transistor MOSFET RD06HVF1 ofrece 50V y 3A de corriente Drain con excelente disipación térmica, ideal para amplificación RF y aplicaciones de potencia.
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El Tiristor C106D SCR ofrece conmutación precisa y control confiable de corriente AC hasta 4A y 400V, ideal para circuitos de potencia y control electrónico.
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El Transistor IGBT K40H603 combina alta eficiencia y capacidad de corriente de 80A con 600V de conmutación. Ideal para fuentes de potencia, inversores y control de motores.
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El transistor IGBT K75T60 combina alta corriente y baja caída de tensión, ofreciendo conmutación rápida y eficiente para inversores y fuentes de potencia.
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El transistor MOSFET IRF840 N-Channel soporta hasta 500V y 8A, ideal para fuentes conmutadas, inversores y sistemas de control de potencia de alta tensión.
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El transistor MOSFET IRF640N N-Channel ofrece alta tensión de trabajo y baja resistencia, ideal para fuentes conmutadas, inversores y controladores de potencia.
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El transistor MOSFET IRF530N N-Channel ofrece alta eficiencia y baja resistencia, ideal para fuentes de poder, control de motores y aplicaciones de conmutación.
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El Transistor MOSFET IRFR3607 ofrece alta corriente, baja resistencia y conmutación rápida para aplicaciones de potencia y control electrónico.
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El Transistor MOSFET IRFR3806 combina baja resistencia, rápida conmutación y alta fiabilidad para aplicaciones de potencia y control electrónico
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El Transistor MOSFET IRF6218 P-Canal combina alta tensión, baja resistencia y excelente disipación térmica para control y conmutación de potencia.
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El Transistor MOSFET IRF3708 ofrece alta corriente, baja RDS(on) y conmutación rápida, optimizado para aplicaciones de potencia y control electrónico.
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El Transistor MOSFET IRF3709 ofrece alta corriente, baja resistencia RDS(on) y conmutación rápida, optimizado para fuentes de poder y controladores.
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El Transistor MOSFET IRF3808 combina baja resistencia RDS(on) y alta corriente para lograr máxima eficiencia en sistemas de potencia y conmutación rápida.
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El Transistor MOSFET IRFR5410 ofrece alta eficiencia, rápida conmutación y excelente capacidad de manejo de corriente para aplicaciones electrónicas exigentes.
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El Transistor MOSFET AO4606 combina canal N y P en un encapsulado SOIC-8, con 30V de voltaje de drenaje y 2W de disipación, ideal para circuitos de conmutación eficiente.
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El Transistor MOSFET FDN360P ofrece conmutación eficiente con 30V y 2A en encapsulado SMD, ideal para proyectos compactos de control y gestión de potencia.
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El Transistor MOSFET IRFP460 ofrece alta eficiencia con 500V y 220W de disipación, conmutación rápida y encapsulado TO-247, perfecto para proyectos de potencia y conmutación.
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El Transistor MOSFET IRFP90N20D ofrece alta capacidad de corriente, rápida conmutación y baja pérdida, ideal para aplicaciones de potencia exigentes.
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El Transistor MOSFET IRFP260 ofrece alta capacidad de corriente, baja resistencia de conducción y excelente eficiencia térmica para aplicaciones de potencia.
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Paquete x10 Transistores Bipolares BC558B PNP 100mA 30V TO-92, ideales para amplificación, control y señal en proyectos electrónicos.
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Pack de 10 Transistores Bipolares BC557B PNP 100mA 50V, alto ancho de banda y bajo ruido, ideales para circuitos de control, audio y electrónica general.
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Transistor Bipolar BC556B PNP 100mA 65V, alto hFE y estabilidad térmica, ideal para amplificación, control y circuitos de señal de precisión.
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Transistor Bipolar BC559B PNP 100mA 30V de alta estabilidad y bajo ruido, ideal para amplificación y control en proyectos electrónicos de precisión.
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Paquete de 10 Transistores Bipolares BC560C PNP 100mA 50V, alta ganancia y bajo ruido, ideal para proyectos electrónicos de señal y control.
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Los Transistores PNP 2N5401 BJT ofrecen alto voltaje y bajo ruido para amplificación y conmutación precisa en circuitos electrónicos. Incluye paquete de 10 unidades.
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Los Transistores NPN 2N5551 BJT ofrecen alto voltaje y frecuencia para amplificación y conmutación en circuitos electrónicos exigentes. Incluye paquete X10.
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Los Transistores NPN 2N4401 BJT ofrecen alta fiabilidad para amplificación y conmutación de señales en proyectos de electrónica y control. Incluye paquete X10.
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El Transistor PNP 2N4403 BJT ofrece excelente desempeño en amplificación y conmutación de señales, soportando hasta 600mA y 40V en encapsulado TO-92.
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Los Transistores NPN BC546B BJT ofrecen alta ganancia y bajo ruido, perfectos para circuitos de amplificación, conmutación y señales de baja potencia. Incluye paquete X10.
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Pack de 10 transistores 2N2907 PNP con encapsulado TO-18. Diseñados para amplificación y conmutación confiable en proyectos de electrónica y robótica.
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Transistor TIP29C NPN de potencia 100V 1A, encapsulado TO-220. Ideal para amplificadores, fuentes de poder y circuitos de control de carga.
