Categoría: Transistores
Transistores
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Transistor Mosfet IRF530N
$ 1,900.0Añadir al carritoEl transistor Mosfet IRF530N es un dispositvo electronico de canal N con una baja resistencia de encendido, rapida velocidad de conmutacion y robusto diseño para ser utilizado en aplicaciones de alta potencia. Esta combinación hace que el diseño sea una opción extremadamente eficiente y fiable para su uso en sistemas electrónicos de alta potencia y una amplia variedad de otras aplicaciones.
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Transistor Mosfet IRFR3607
$ 1,500.0Añadir al carritoEl transistor Mosfet IRFR3607 es dispositvo electronico SMD de canal N con una baja resistencia de encendido y rapida velocidad de conmutacion para ser utilizado en aplicaciones de alta potencia. Esta combinación hace que el diseño sea una opción extremadamente eficiente y fiable para su uso en sistemas electrónicos de alta potencia y una amplia variedad de otras aplicaciones.
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Transistor Mosfet IRFR3806
$ 1,500.0Añadir al carritoEl transistor Mosfet IRFR3806 es dispositvo electronico SMD de canal N con una baja resistencia de encendido y rapida velocidad de conmutacion para ser utilizado en aplicaciones de alta potencia. Esta combinación hace que el diseño sea una opción extremadamente eficiente y fiable para su uso en sistemas electrónicos de alta potencia y una amplia variedad de otras aplicaciones.
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Transistor Mosfet IRF6218
$ 3,500.0Añadir al carritoEl transistor Mosfet IRF6218 es un dispositvo electronico de canal P con una baja resistencia de encendido, rapida velocidad de conmutacion y robusto diseño para ser utilizado en aplicaciones de alta potencia. Esta combinación hace que el diseño sea una opción extremadamente eficiente y fiable para su uso en sistemas electrónicos de alta potencia y una amplia variedad de otras aplicaciones.
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Transistor Mosfet IRF3708
$ 2,500.0Añadir al carritoEl transistor Mosfet IRF3708 es un dispositvo electronico de canal N con una baja resistencia de encendido, rapida velocidad de conmutacion y robusto diseño para ser utilizado en aplicaciones de alta potencia. Esta combinación hace que el diseño sea una opción extremadamente eficiente y fiable para su uso en sistemas electrónicos de alta potencia y una amplia variedad de otras aplicaciones.
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Transistor Mosfet IRF3709
$ 2,500.0Añadir al carritoEl transistor Mosfet IRF3709 es un dispositvo electronico de canal N con una baja resistencia de encendido, rapida velocidad de conmutacion y robusto diseño para ser utilizado en aplicaciones de alta potencia. Esta combinación hace que el diseño sea una opción extremadamente eficiente y fiable para su uso en sistemas electrónicos de alta potencia y una amplia variedad de otras aplicaciones.
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Transistor Mosfet IRF3808
$ 2,800.0Añadir al carritoEl transistor Mosfet IRF3808 es dispositvo electronico de canal N con una baja resistencia de encendido, rapida velocidad de conmutacion y robusto diseño para ser utilizado en aplicaciones de alta potencia. Esta combinación hace que el diseño sea una opción extremadamente eficiente y fiable para su uso en sistemas electrónicos de alta potencia y una amplia variedad de otras aplicaciones.
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Transistor Mosfet IRFR5410
$ 1,500.0Añadir al carritoEl transistor Mosfet IRFR5410 es dispositvo electronico de canal P con una baja resistencia de encendido, rapida velocidad de conmutacion y robusto diseño para ser utilizado en aplicaciones de alta potencia.
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Transistor Mosfet AO4606
$ 2,500.0Añadir al carritoEl transistor AO4606 contiene dos Mosfet complementarios de canal N y canal P en un encapsulado SMD tipo SOP-8. Este posee una excelente RDS(on) y una carga de compuerta baja. los Mosfet complemetarios se pueden utilizar para formar un interruptor de deslizamiento por nivel .
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Transistor Mosfet FDN360P
$ 1,500.0Añadir al carritoEl FDN360P es un MOSFET de un solo canal P de montaje en superficie en paquete SOT-23. Se ha diseñado para minimizar la resistencia en el estado activo y mantener una carga de puerta baja para un rendimiento de conmutación superior. Este dispositivo es adecuado para aplicaciones de bajo voltaje y alimentadas por batería.
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Transistor Mosfet IRFP460
$ 6,500.0Añadir al carritoEl transistor Mosfet IRFP460 es un componente eléctrico que se encarga de regular la salida de voltaje a partir de una tensión de entrada aplicada, diseñado para el uso en fuentes de alimentacion conmutadas, fuentes de computadoras y televisores, circuitos de control de motores y aplicaciones de conmutacion de proposito general.
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Transistor Mosfet IRFP90N20D
$ 7,500.0Añadir al carritoEl transistor Mosfet IRFP90N20D es un componente eléctrico que se encarga de regular la salida de voltaje a partir de una tensión de entrada aplicada. Estos MOSFET de potencia están diseñados para aplicaciones tales como reguladores de conmutación, convertidores de conmutación, controladores de motores, Controladores de relé y controladores para conmutación bipolar de alta potencia. Estos transistores requieren alta velocidad y baja potencia de accionamiento Gate.
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Transistor Mosfet IRFP260
$ 6,000.0Añadir al carritoEl transistor Mosfet IRFP260N es un componente eléctrico que se encarga de regular la salida de voltaje a partir de una tensión de entrada aplicada. Estos MOSFET de potencia están diseñados para aplicaciones tales como reguladores de conmutación, convertidores de conmutación, controladores de motores, Controladores de relé y controladores para conmutación bipolar de alta potencia. Estos transistores requieren alta velocidad y baja potencia de accionamiento Gate.
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Transistor de empalme bipolar BC558B 100mA 30V BJT PNP Está diseñado para la baja de corriente media, baja potencia, de media tensión, y puede operar a moderadamente altas velocidades.
Cantidad : 10 Transitores BC557B
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Transistor de empalme bipolar BC557B 100mA 50V BJT PNP Está diseñado para la baja de corriente media, baja potencia, de media tensión, y puede operar a moderadamente altas velocidades.
Cantidad : 10 Transitores BC557B
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Transistor de empalme bipolar BC556B 100mA 65V BJT PNP Está diseñado para la baja de corriente media, baja potencia, de media tensión, y puede operar a moderadamente altas velocidades.
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Transistor de empalme bipolar BC559B 100mA 30V BJT PNP Está diseñado para la baja de corriente media, baja potencia, de media tensión, y puede operar a moderadamente altas velocidades.
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Transistor de empalme bipolar BC560C 100mA 50V BJT PNP Está diseñado para la baja de corriente media, baja potencia, de media tensión, y puede operar a moderadamente altas velocidades.
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Transistor de empalme bipolar 2N5401 500mA 160V BJT PNP Está diseñado para la baja de corriente media, baja potencia, de media tensión, y puede operar a moderadamente altas velocidades.
Cantidad: 10 transistores 2N5401
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Transistor de empalme bipolar 2N5551 600mA 180V BJT NPN Está diseñado para la baja de corriente media, baja potencia, de media tensión, y puede operar a moderadamente altas velocidades.
Cantidad: 10 transistores 2N5551
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Transistor de empalme bipolar 2N4401 NPN 600mA 60V BJT NPN utilizado para los fines de empalme Está diseñado para la baja de corriente media, baja potencia, de media tensión, y puede operar a moderadamente altas velocidades.
Cantidad: 10 transistores BC546B
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2N4403 Transistor BJT PNP -40V / -600mA TO-92, semiconductor bipolar de juntura PNP.
Transistor de baja potencia, capaz de disipar hasta 625mW y controlar dispositivos que consuman hasta 600mA o que requieran tensiones de hasta 40VDC
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Transistor de empalme bipolar BC546B BJT NPN utilizado para los fines de empalme Está diseñado para la baja de corriente media, baja potencia, de media tensión, y puede operar a moderadamente altas velocidades.
Cantidad: 10 transistores BC546B
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El 2N2907 es un transistor de unión bipolar PNP utilizado para los fines generales de amplificación de baja potencia o aplicaciones de conmutación. Está diseñado para la baja de corriente media, baja potencia, de media tensión, y puede operar a moderadamente altas velocidades.
Cantidad: 10 transistores 2N2907
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TIP29C Transistor BJT NPN 100V 1A TO-220 es un semiconductor bipolar de alta potencia de juntura NPN.
Este transistor es capaz de disipar hasta 30W, puede controlar dispositivos que consuman hasta 3A o que requieran tensiones de hasta 100VDC.
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TIP30C Transistor BJT PNP 100V / 1A TO-220 es un semiconductor bipolar de alta potencia de juntura PNP.
Este transistor es capaz de disipar hasta 30W, puede controlar dispositivos que consuman hasta 1A o que requieran tensiones de hasta 100VDC.
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Transistor TIP31C BJT NPN de potencia 100V 3A
El precio original era: $ 1,500.0.$ 1,100.0El precio actual es: $ 1,100.0.Añadir al carritoTIP31C Transistor BJT NPN 100V / 3A TO-220 es un semiconductor bipolar de alta potencia de juntura NPN.
Este transistor es capaz de disipar hasta 40W, puede controlar dispositivos que consuman hasta 3A o que requieran tensiones de hasta 100VDC.
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TIP32C Transistor BJT PNP -100V / -3A TO-220 es un semiconductor bipolar de alta potencia de juntura PNP.
Este transistor es capaz de disipar hasta 40W, puede controlar dispositivos que consuman hasta 3A o que requieran tensiones de hasta 100VDC.
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TIP41C Transistor BJT NPN 100V 6A TO-220, semiconductor bipolar de alta potencia de juntura NPN.
Capaz de disipar hasta 65W, puede controlar dispositivos que consuman hasta 6A o que requieran tensiones de hasta 100VDC
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TIP42C Transistor BJT PNP 100V 6A TO-220, semiconductor bipolar de alta potencia de juntura PNP.
Capaz de disipar hasta 65W, puede controlar dispositivos que consuman hasta 6A o que requieran tensiones de hasta 100VDC
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Transistor IRF3205 MOSFET 100V 120A
$ 4,100.0Añadir al carritoEl transistor IRF3205 MOSFET es perfecto para aplicaciones de alta potencia como control de motores, fuentes de alimentación y convertidores DC-DC.
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Transistor 2N3904 BJT NPN 40V x 10
$ 2,000.0Añadir al carritoTransistor bipolar NPN de baja potencia y uso general, sirve para aplicaciones de amplificación y conmutación. Amplificar pequeñas corrientes a tensiones pequeñas o medias; se puede implementar en amplificadores de sonido, puente H.
Cantidad: 10 transistores 2N3904
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Transistor 2N3906 BJT PNP 40V x 10
$ 2,000.0Añadir al carritoTransistor bipolar PNP de baja potencia y uso general, sirve para aplicaciones de amplificación y conmutación. Amplificar pequeñas corrientes a tensiones pequeñas o medias; se puede implementar en amplificadores de sonido, puente H.
Cantidad: 10 transistores 2N3906
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Transistor Bipolar 2SC5200 (BJT) NPN
$ 14,000.0Añadir al carrito2SC5200 Transistor BJT NPN es capaz de disipar hasta 150W, puede controlar dispositivos que consuman hasta 15A o que requieran tensiones de hasta 230VDC.
Su juntura es NPN, con un factor de amplificación (hFE) que varía de acuerdo a la carga a utilizar, variando entre 35 y 160.
Dispositivo diseñado para etapas de salida de sonido en amplificadores de frecuencia de audio de alta fidelidad de 100W.
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Transistor Bipolar 2SA1943 (BJT) PNP
$ 15,000.0Añadir al carrito2SA1943 Transistor BJT PNP es capaz de disipar hasta 150W, puede controlar dispositivos que consuman hasta 15A o que requieran tensiones de hasta 230VDC.
Su juntura es PNP, con un factor de amplificación (hFE) que varía de acuerdo a la carga a utilizar, variando entre 35 y 160.
Dispositivo diseñado para etapas de salida de sonido en amplificadores de frecuencia de audio de alta fidelidad de 100W.
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Transistor 2N2222A NPN x10
$ 2,000.0Añadir al carritoEste dispositivo semiconductor es un transistor bipolar de juntura NPN. Su encapsulado es el TO-92, cuya estructura es plástico con tres terminales (pines).
Cantidad: 10 transistores 2N2222A.
