Categoría: Transistores
Transistores
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Transistor IGBT 30J127 600V 200A TO-220
$ 5.000,0Añadir al carritoEl Transistor IGBT 30J127 permite conmutación de alta potencia con estabilidad y eficiencia. Soporta 600V y 200A en encapsulado TO-220.
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Transistor IGBT 30J124 600V 200A TO-220
$ 3.000,0Añadir al carritoEl Transistor IGBT 30J124 ofrece conmutación eficiente de alta potencia. Soporta 600V y 200A, con baja saturación y encapsulado TO-220.
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Transistor NPN 60V TO-220F 2SD2012
$ 2.000,0Añadir al carritoEl Transistor 2SD2012 NPN asegura conmutación estable en potencia media.
Además, ofrece buena disipación térmica y control confiable.
Es adecuado para aplicaciones electrónicas industriales. -
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El Transistor 2SD1415 NPN proporciona amplificación estable y confiable.
Además, soporta altas tensiones con excelente desempeño térmico.
Es ideal para aplicaciones de potencia y control electrónico. -
Transistor NPN 60V TO-220F 2SD2058
$ 2.500,0Añadir al carritoEl Transistor 2SD2058 NPN proporciona conmutación estable y segura.
Además, soporta tensiones medias con disipación eficiente.
Es adecuado para aplicaciones electrónicas de potencia y control. -
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El Transistor 2SD1594 NPN garantiza conmutación eficiente y estable.
Además, soporta altas tensiones con excelente desempeño térmico.
Es ideal para aplicaciones de potencia y control electrónico. -
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La Fuente de Corriente Ajustable LM334Z proporciona control preciso de corriente en un amplio rango.
Además, opera desde 1V hasta 40V con excelente estabilidad térmica.
Es ideal para proyectos de electrónica, robótica e instrumentación. -
Transistor MOSFET P-Channel IRFP9140
$ 6.500,0Añadir al carritoEl Transistor Mosfet IRFP9140 es un dispositivo P-Channel de alta potencia, confiable y eficiente, perfecto para control de energía y aplicaciones de conmutación rápida en electrónica.
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El pack 2SA2210 y 2SC6082 incluye transistores PNP y NPN de alta potencia, diseñados para amplificadores y sistemas de conmutación de corriente elevada.
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Transistor 2N5460 JFET Canal P TO-92
$ 2.000,0Añadir al carritoEl Transistor 2N5460 JFET Canal P ofrece amplificación lineal y baja distorsión, ideal para aplicaciones analógicas de precisión y conmutación controlada.
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Transistor 2N5457 JFET Canal N TO-92
$ 3.000,0Añadir al carritoEl Transistor 2N5457 JFET Canal N ofrece excelente linealidad y baja corriente de fuga. Ideal para amplificación y control de señal en circuitos analógicos.
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El Transistor 2N6027 es un PUT programable que permite ajustar características de disparo y unijuntura con dos resistencias, ideal para temporizadores y controladores electrónicos.
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El Transistor 2N3904 NPN es un BJT de propósito general para amplificación y conmutación de señales, soportando hasta 60 V y 200 mA con encapsulado TO-92.
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El Transistor 2N5551 NPN es un dispositivo de propósito general para amplificación y conmutación, capaz de soportar tensiones de hasta 160V y corrientes de 300mA.
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Triac BT136 600V 4A Encapsulado TO-220
$ 2.000,0Añadir al carritoEl Triac BT136 600V 4A permite el control eficiente de corriente alterna en cargas de hasta 4A. Compacto, confiable y fácil de integrar en proyectos electrónicos.
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Transistor IGBT NGD8201 N-Channel TO-252
$ 3.500,0Añadir al carritoEl Transistor IGBT NGD8201 combina alta eficiencia y baja caída de voltaje, soporta hasta 400V y 20A, ideal para aplicaciones de potencia y control electrónico.
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Transistor MOSFET NCE4688 N
$ 6.000,0Añadir al carritoEl Transistor MOSFET NCE4688 es un dispositivo N de alta eficiencia, con 60V, 6.1A, baja resistencia RDS(on) y encapsulado SOP8, ideal para aplicaciones de conmutación y control de potencia.
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El Transistor MOSFET FTP23N10A canal N maneja hasta 100V y 57A, con baja resistencia RDS(on) y rápida conmutación para aplicaciones de potencia media.
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El conjunto Transistores A2222 y C6144 ofrece un par complementario NPN-PNP de 100V y 3A, ideal para amplificadores y sistemas de control de potencia.
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Transistor IGBT 60T65 N-Channel 650V 100A
$ 13.500,0Añadir al carritoEl Transistor IGBT 60T65 combina baja caída de tensión y alta corriente, ofreciendo conmutación eficiente y estable en aplicaciones industriales y energéticas.
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El Transistor MOSFET IRFB4115 tipo N maneja hasta 150V y 104A, con baja resistencia RDS(on), ideal para aplicaciones de potencia y control electrónico.
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Transistor IGBT FGH40N60SFD 600V 80A TO-247
$ 13.000,0Añadir al carritoEl Transistor IGBT FGH40N60SFD combina 600V y 80A en un diseño eficiente tipo TO-247, con baja pérdida y alta velocidad de conmutación para aplicaciones de potencia.
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Transistor IGBT FGH60N60S 600V 60A Canal N
$ 13.000,0Añadir al carritoEl Transistor IGBT FGH60N60S combina alta corriente, rápida conmutación y baja VCE(sat) de 1.9V, ideal para controladores de potencia e inversores de alta eficiencia.
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El Transistor MOSFET 2N7000 canal N permite conmutar señales hasta 60V y 0.35A con baja carga de compuerta, ideal para controladores y circuitos lógicos.
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El Transistor MOSFET IRFZ44N ofrece conmutación rápida y eficiente con 55V, 49A y baja resistencia interna, ideal para controladores de potencia y fuentes DC.
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Transistor MOSFET RD06HVF1 50V 3A 27.8W
$ 19.000,0Añadir al carritoEl Transistor MOSFET RD06HVF1 ofrece 50V y 3A de corriente Drain con excelente disipación térmica, ideal para amplificación RF y aplicaciones de potencia.
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Tiristor SCR 400V 4A TO-126 C106D
$ 1.500,0Añadir al carritoEl Tiristor C106D SCR ofrece conmutación precisa y control confiable de corriente AC hasta 4A y 400V, ideal para circuitos de potencia y control electrónico.
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El Transistor IGBT K40H603 combina alta eficiencia y capacidad de corriente de 80A con 600V de conmutación. Ideal para fuentes de potencia, inversores y control de motores.
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El transistor IGBT K75T60 combina alta corriente y baja caída de tensión, ofreciendo conmutación rápida y eficiente para inversores y fuentes de potencia.
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El transistor MOSFET IRF840 N-Channel soporta hasta 500V y 8A, ideal para fuentes conmutadas, inversores y sistemas de control de potencia de alta tensión.
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El transistor MOSFET IRF640N N-Channel ofrece alta tensión de trabajo y baja resistencia, ideal para fuentes conmutadas, inversores y controladores de potencia.
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El transistor MOSFET IRF530N N-Channel ofrece alta eficiencia y baja resistencia, ideal para fuentes de poder, control de motores y aplicaciones de conmutación.
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El Transistor MOSFET IRFR3607 ofrece alta corriente, baja resistencia y conmutación rápida para aplicaciones de potencia y control electrónico.
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El Transistor MOSFET IRFR3806 combina baja resistencia, rápida conmutación y alta fiabilidad para aplicaciones de potencia y control electrónico
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El Transistor MOSFET IRF6218 P-Canal combina alta tensión, baja resistencia y excelente disipación térmica para control y conmutación de potencia.
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El Transistor MOSFET IRF3708 ofrece alta corriente, baja RDS(on) y conmutación rápida, optimizado para aplicaciones de potencia y control electrónico.
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El Transistor MOSFET IRF3709 ofrece alta corriente, baja resistencia RDS(on) y conmutación rápida, optimizado para fuentes de poder y controladores.
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El Transistor MOSFET IRF3808 combina baja resistencia RDS(on) y alta corriente para lograr máxima eficiencia en sistemas de potencia y conmutación rápida.
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El Transistor MOSFET IRFR5410 ofrece alta eficiencia, rápida conmutación y excelente capacidad de manejo de corriente para aplicaciones electrónicas exigentes.
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El Transistor MOSFET AO4606 combina canal N y P en un encapsulado SOIC-8, con 30V de voltaje de drenaje y 2W de disipación, ideal para circuitos de conmutación eficiente.
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