Categoría: Componentes Electrónicos
Componentes Electrónicos
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Añadir al carritoEl Soporte para Display LCD 1602A es una base en acrílico de color trasparente ideal para colocar la LCD en un angulo perfectamente visible. En caso de que tu display LCD 1602A lleve un adaptador I2C instalado, el soporte incluye abertura lateral para la salida de cables.
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Transistor FGH40N60SFD
$ 3.3Añadir al carritoEste es un transistor de canal N utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas en inversores, UPS, soldadores, rectificación, fuentes de conmutación de alta frecuencia entre otras aplicaciones.
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El IGBT FGH60N60S es un transistor de canal N utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas en inversores, UPS, soldadores, rectificación, fuentes de conmutación de alta frecuencia entre otras aplicaciones.
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El HD151007 smd es un driver de encendido automotriz que cuenta con controladores y búferes inversores octales con salidas de alto voltaje de drenaje abierto con MOSFET de potencia de canal, voltaje de salida de 30 v y corriente de 100 mA.
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Transistor Mosfet IRF840 es un dispositivo electronico de canal N de montaje superficial con un encapsulado SOT263. Se ha diseñado para minimizar la resistencia en el estado activo y mantener una carga de puerta baja para un rendimiento de conmutación superior. Este dispositivo es adecuado para aplicaciones de alta potencia.
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El transistor Mosfet 2N7000 es un transistor de efecto de campo con encapsulado TO-92 de 3 pines de canal N. Este transistor está fabricado con tecnología DMOS (metal-óxido semiconductor de doble difusión) de alta densidad. Esta diseñado para conmutación rápida de cargas que operan con menos de 60 V (VDS) y 200 mA (ID), también proporciona un rendimiento de conmutación robusto, rápido y fiable.
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El transistor Mosfet IRFZ44N es un dispositvo electronico de canal N con una baja resistencia de encendido, rapida velocidad de conmutacion y robusto diseño para ser utilizado en aplicaciones de alta potencia. Esta combinación hace que el diseño sea una opción extremadamente eficiente y fiable para su uso en sistemas electrónicos de alta potencia y una amplia variedad de otras aplicaciones.
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Transistores Mosfet Rd06
$ 4.8Añadir al carritoTransistores Mosfet Rd06 es un dispositivo electrónico con una baja resistencia de encendido, rápida velocidad de conmutación y robusto diseño para ser utilizado en aplicaciones de alta potencia. Esta combinación hace que el diseño sea una opción extremadamente eficiente y fiable para su uso en sistemas electrónicos de alta potencia y una amplia variedad de otras aplicaciones como amplificadores de potencia VHF/RF.
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El Regulador de voltaje ST BTA41A es un dispositivo de silicio SCR con una potencia maxima de 4000W y tension de salida de 0-220V AC, posee un interruptor de protección de sobrecarga de corriente 15A, Pantalla LED, Carcasa de material ignífugo PC/PP, cable de alimentación es más seguro con resistencia a altas temperaturas ideal para la regulación voltaje, temperatura, luz y velocidad.
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El MCP1700-3302E/TO SMD es un regulador de tensión positiva de baja caída CMOS que puede suministrar hasta 250mA de corriente y 3.3V con un diferencial de tensión de entrada-salida extremadamente bajo de 178mV a 250mA. La baja tensión de caída, combinada con el bajo consumo de corriente, hace que este dispositivo sea ideal para el funcionamiento con batería.
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Tiristor C106D SCR
$ 0.4Añadir al carritoEl Tiristor C106D SCR soporta una tensión máxima de 400V, una corriente máxima de 4A y su encapsulado es TO-126. Diseñados para aplicaciones en controladores de Relés (Relay) y lámparas, control de motores, controladores de compuerta para tiristores más grandes, control de cargas AC y DC (Corriente Alterna y Corriente Continua), entre otros.
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El MCP1700-3302E/TO es un regulador de tensión positiva de baja caída CMOS que puede suministrar hasta 250mA de corriente y 3.3V con un diferencial de tensión de entrada-salida extremadamente bajo de 178mV a 250mA. La baja tensión de caída, combinada con el bajo consumo de corriente, hace que este dispositivo sea ideal para el funcionamiento con batería.
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Transistor IGBT K40H603
$ 2.9Añadir al carritoEl IGBT K40H603 es un transistor de canal N ideal para aplicaciones de electronica y convertidores de alta frecuencia gracias a su potencia de disipacion 306 W. Viene en un encapsulado TO247.
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El módulo ESP-12E es un chip especialmente diseñado para las necesidades de un mundo conectado, integra un potente microcontrolador con arquitectura de 32 bits (más potente que el Arduino Due) y conectividad Wi-Fi. El SoM(System on Module) ESP-12E fabricado por Ai-Thinker integra en un módulo el SoC ESP8266, memoria FLASH, cristal oscilador y antena WiFi en PCB.
Este trabaja a 3.3V en alimentación . Se recomienda colocar un capacitor de 100uF en paralelo con la fuente de alimentación para filtrar los picos de corriente. Posee leds indicadores de alimentación y de comunicación. Los pines de entradas/salidas (GPIO) trabajan a 3.3V por lo que para conexión a sistemas de 5V es necesario utilizar conversores de nivel como: Conversor de nivel 3.3-5V 4CH o Conversor de nivel bidirecional 8CH – TXS0108E.
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Modulo Step Up XL6019
$ 4.3Leer másEl modulo regulador XL6019 es un convertidor DC / DC que puede generar tensiones ajustados de salida. Se puede configurar como un convertidor boost, flyback, SEPIC o inversor. El XL6019 integra un MOSFET de potencia de canal N y el oscilador de frecuencia fija, la arquitectura de modo actual da como resultado un funcionamiento estable en una amplia gama de voltajes de salida.
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Transitor IGBT K75T60
$ 2.4Añadir al carritoEl IGBT K75T60 es un transistor de canal N ideal para aplicaciones de electronica y convertidores de alta frecuencia gracias a su potencia de disipacion 428 W. Viene en un encapsulado TO247.
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Transistor Mosfet IRF840
$ 0.5Añadir al carritoEl transistor Mosfet IRF840N es un dispositvo electronico de canal N con una baja resistencia de encendido, rapida velocidad de conmutacion y robusto diseño para ser utilizado en aplicaciones de alta potencia. Esta combinación hace que el diseño sea una opción extremadamente eficiente y fiable para su uso en sistemas electrónicos de alta potencia y una amplia variedad de otras aplicaciones.
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El transistor Mosfet IRF640N es un dispositvo electronico de canal N con una baja resistencia de encendido, rapida velocidad de conmutacion y robusto diseño para ser utilizado en aplicaciones de alta potencia. Esta combinación hace que el diseño sea una opción extremadamente eficiente y fiable para su uso en sistemas electrónicos de alta potencia y una amplia variedad de otras aplicaciones.
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El transistor Mosfet IRF540N es un dispositvo electronico de canal N con una baja resistencia de encendido, rapida velocidad de conmutacion y robusto diseño para ser utilizado en aplicaciones de alta potencia. Esta combinación hace que el diseño sea una opción extremadamente eficiente y fiable para su uso en sistemas electrónicos de alta potencia y una amplia variedad de otras aplicaciones.
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El transistor Mosfet IRF530N es un dispositvo electronico de canal N con una baja resistencia de encendido, rapida velocidad de conmutacion y robusto diseño para ser utilizado en aplicaciones de alta potencia. Esta combinación hace que el diseño sea una opción extremadamente eficiente y fiable para su uso en sistemas electrónicos de alta potencia y una amplia variedad de otras aplicaciones.
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Memoria EEPROM AT28C64
$ 3.3Añadir al carritola memoria AT28C64 esta diseñada para guardar instrucciones y programas dando soporte a microcontroladores que requieren una gran cantidad de memoria en tiempo de ejecución con hasta 64 Kbit de memoria borrable eléctricamente en dos gamas ultravioleta (UV) o one time programable (OTP). Con un tiempo acceso (lectura) menor a los 150 ns, es de bajo consumo llegando a los 40 mA durante la lectura.
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El BT 4000 es un regulador de voltaje electronico SCR con un voltaje de salida ajustable entre 0-220AC, una corriente nominal de 9A y una potencia de 4000 W. Este regulador posee una perilla para ajustar el voltaje de salida, carcasa de metal, indicador de voltaje y interruptor de encendido.
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LED SMD 0805 x 100
$ 2.4Añadir al carritoLed de montaje superficial (SMD) ROJO, VERDE, AZUL, AMARILLO y BLANCO en empaquetado 0805 (1.52×0.8×0.8 mm).
Cantidad : 100 Leds.
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Optoacoplador MOC3011M SMD
El precio original era: $ 0.4.$ 0.3El precio actual es: $ 0.3.Añadir al carritoOptoacoplador MOC3011M SMD es un dispositivo controlador triac aislado ópticamente.
Contienen un diodo emisor de infrarrojos de gas y un interruptor bilateral de silicio activado por luz, que funciona como un triac. Están diseñados para interconectarse entre controles electrónicos y triacs de potencia para controlar cargas resistivas e inductivas para operaciones de 115 VCA.
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Optoacoplador MOC3010M SMD es un dispositivo controlador triac aislado ópticamente.
Contienen un diodo emisor de infrarrojos de GaAs y un interruptor bilateral de silicio activado por luz, que funciona como un triac. Están diseñados para interconectarse entre controles electrónicos y triacs de potencia para controlar cargas resistivas e inductivas para operaciones de 115 VCA.
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El M7 es un diodo rectificador de barrera Schottky de metal a silicio con terminaciones de clip adheridas que proporciona un alto rendimiento térmico y baja resistencia eléctrica. Este rectificador es adecuado para aplicaciones de protección contra polaridad inversa, rectificación secundaria y rueda libre.
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El M4 es un diodo rectificador de barrera Schottky de metal a silicio con terminaciones de clip adheridas que proporciona un alto rendimiento térmico y baja resistencia eléctrica. Este rectificador es adecuado para aplicaciones de protección contra polaridad inversa, rectificación secundaria y rueda libre.
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El M1 es un diodo rectificador de barrera Schottky de metal a silicio con terminaciones de clip adheridas que proporciona un alto rendimiento térmico y baja resistencia eléctrica. Este rectificador es adecuado para aplicaciones de protección contra polaridad inversa, rectificación secundaria y rueda libre.
1 Paquete – 10 Diodos Rectificadores Schottky M1 SMD
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El SS36 es un diodo rectificador de barrera Schottky de metal a silicio con terminaciones de clip adheridas que proporciona un alto rendimiento térmico y baja resistencia eléctrica. Este rectificador es adecuado para aplicaciones de protección contra polaridad inversa, rectificación secundaria y rueda libre.
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El SS14 es un diodo rectificador de barrera Schottky de metal a silicio con terminaciones de clip adheridas que proporciona un alto rendimiento térmico y baja resistencia eléctrica. Este rectificador es adecuado para aplicaciones de protección contra polaridad inversa, rectificación secundaria y rueda libre.
1 Paquete – 10 Diodos Rectificadores Schottky SS14 SMD
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El SS24 es un diodo rectificador de barrera Schottky de metal a silicio con terminaciones de clip adheridas que proporciona un alto rendimiento térmico y baja resistencia eléctrica. Este rectificador es adecuado para aplicaciones de protección contra polaridad inversa, rectificación secundaria y rueda libre.
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El SS210 es un diodo rectificador de barrera Schottky de metal a silicio con terminaciones de clip adheridas que proporciona un alto rendimiento térmico y baja resistencia eléctrica. Este rectificador es adecuado para aplicaciones de protección contra polaridad inversa, rectificación secundaria y rueda libre.
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El transistor Mosfet IRFR3607 es dispositvo electronico SMD de canal N con una baja resistencia de encendido y rapida velocidad de conmutacion para ser utilizado en aplicaciones de alta potencia. Esta combinación hace que el diseño sea una opción extremadamente eficiente y fiable para su uso en sistemas electrónicos de alta potencia y una amplia variedad de otras aplicaciones.
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El transistor Mosfet IRFR3806 es dispositvo electronico SMD de canal N con una baja resistencia de encendido y rapida velocidad de conmutacion para ser utilizado en aplicaciones de alta potencia. Esta combinación hace que el diseño sea una opción extremadamente eficiente y fiable para su uso en sistemas electrónicos de alta potencia y una amplia variedad de otras aplicaciones.
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El transistor Mosfet IRF6218 es un dispositvo electronico de canal P con una baja resistencia de encendido, rapida velocidad de conmutacion y robusto diseño para ser utilizado en aplicaciones de alta potencia. Esta combinación hace que el diseño sea una opción extremadamente eficiente y fiable para su uso en sistemas electrónicos de alta potencia y una amplia variedad de otras aplicaciones.
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El transistor Mosfet IRF3703 es un dispositvo electronico de canal N con una baja resistencia de encendido, rapida velocidad de conmutacion y robusto diseño para ser utilizado en aplicaciones de alta potencia. Esta combinación hace que el diseño sea una opción extremadamente eficiente y fiable para su uso en sistemas electrónicos de alta potencia y una amplia variedad de otras aplicaciones.
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El transistor Mosfet IRF3708 es un dispositvo electronico de canal N con una baja resistencia de encendido, rapida velocidad de conmutacion y robusto diseño para ser utilizado en aplicaciones de alta potencia. Esta combinación hace que el diseño sea una opción extremadamente eficiente y fiable para su uso en sistemas electrónicos de alta potencia y una amplia variedad de otras aplicaciones.
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El transistor Mosfet IRF3709 es un dispositvo electronico de canal N con una baja resistencia de encendido, rapida velocidad de conmutacion y robusto diseño para ser utilizado en aplicaciones de alta potencia. Esta combinación hace que el diseño sea una opción extremadamente eficiente y fiable para su uso en sistemas electrónicos de alta potencia y una amplia variedad de otras aplicaciones.
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El SS310 es un diodo rectificador de barrera Schottky de metal a silicio con terminaciones de clip adheridas que proporciona un alto rendimiento térmico y baja resistencia eléctrica. Este rectificador es adecuado para aplicaciones de protección contra polaridad inversa, rectificación secundaria y rueda libre.
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El transistor Mosfet IRF3808 es dispositvo electronico de canal N con una baja resistencia de encendido, rapida velocidad de conmutacion y robusto diseño para ser utilizado en aplicaciones de alta potencia. Esta combinación hace que el diseño sea una opción extremadamente eficiente y fiable para su uso en sistemas electrónicos de alta potencia y una amplia variedad de otras aplicaciones.
