Transistor Mosfet IRF530N
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El transistor Mosfet IRF530N es un dispositvo electronico de canal N con una baja resistencia de encendido, rapida velocidad de conmutacion y robusto diseño para ser utilizado en aplicaciones de alta potencia. Esta combinación hace que el diseño sea una opción extremadamente eficiente y fiable para su uso en sistemas electrónicos de alta potencia y una amplia variedad de otras aplicaciones.
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Caracteristicas:
- Tipo de FET: MOSFET
- Polaridad de transistor: N
- Disipación total del dispositivo (Pd): 70 W
- Tensión drenaje-fuente |Vds|: 100 V
- Tensión compuerta-fuente |Vgs|: 20 V
- Corriente continua de drenaje |Id|: 17 A
- Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C
- Tensión umbral compuerta-fuente |Vgs(th)|: 4 V
- Tiempo de elevación (tr): 22 nS
- Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.09 Ohm
- Empaquetado : TO220AB
Aplicaiones:
- Interruptor de reinicio
- Reinicio de los convertidores DC-DC.
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