Transistor Mosfet IRF3808
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El transistor Mosfet IRF3808 es dispositvo electronico de canal N con una baja resistencia de encendido, rapida velocidad de conmutacion y robusto diseño para ser utilizado en aplicaciones de alta potencia. Esta combinación hace que el diseño sea una opción extremadamente eficiente y fiable para su uso en sistemas electrónicos de alta potencia y una amplia variedad de otras aplicaciones.
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Características:
- Disipación total del dispositivo (Pd): 330 W
- Tensión drenaje-fuente |Vds|: 75 V
- Tensión compuerta-fuente |Vgs|: 20 V
- Corriente continua de drenaje |Id|: 140 A
- Carga de compuerta (Qg): 150 nC
- Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.007 Ohm
Aplicaciones:
- Circuitos de alta potencia.
Hoja de datos IRF3808PBF
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