Transistor Mosfet IRF3709
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El transistor Mosfet IRF3709 es un dispositvo electronico de canal N con una baja resistencia de encendido, rapida velocidad de conmutacion y robusto diseño para ser utilizado en aplicaciones de alta potencia. Esta combinación hace que el diseño sea una opción extremadamente eficiente y fiable para su uso en sistemas electrónicos de alta potencia y una amplia variedad de otras aplicaciones.
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Caracteristicas IRF3709:
- Tipo de FET: MOSFET
- Polaridad de transistor: N
- Disipación total del dispositivo (Pd): 120 W
- Tensión drenaje-fuente |Vds|: 30 V
- Tensión compuerta-fuente |Vgs|: 20 V
- Corriente continua de drenaje |Id|: 90 A
- Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
- Tensión umbral compuerta-fuente |Vgs(th)|: 3 V
- Carga de compuerta (Qg): 27 nC
- Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.009 Ohm
Aplicaiones:
- Convertidores aislados DC-DC de alta frecuencia con rectificación síncrona para telecomunicaciones.
- Convertidores Buck de alta frecuencia para alimentación de procesadores de ordenador.
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