Transistor FGH40N60SFD
$ 3.3
Este es un transistor de canal N utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas en inversores, UPS, soldadores, rectificación, fuentes de conmutación de alta frecuencia entre otras aplicaciones.
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Transistor FGH40N60SFD
Características
- Polaridad de transistor: Canal N
- Tipo IGBT Tope de campo
- Voltaje – Collector Emitter Breakdown (Max) 600V
- Current – Collector (Ic) (Max) 80A
- Current – Collector Pulsed (Icm) 120A
- Vce (encendido) (máx.) a Vge, Ic 2.9 V a 15 V, 40 A
- Power – Max 290W
- Energía de conmutación 1.13 mJ (Encendido), 310 µJ (Apagado)
- Tipo de entrada Estándar
- Carga de compuerta 120nC
- Td (encendido/apagado) a 25°C 25 ns/115 ns
- Condiciones de prueba 400 V, 40 A, 10 Ohm, 15 V
- Tiempo de recuperación inversa (trr) 45ns
- Temperatura de operación -55 °C 150 °C (TJ)
- Tipo de montaje Orificio pasante
- Paquete / Caja (carcasa) TO-247-3
- Paquete del dispositivo del proveedor TO-247
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