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7 años de experiencia en robótica competitiva.

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Transistor FGH40N60SFD

$ 2.3

Este es un transistor de canal utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas en inversores, UPS, soldadores, rectificación, fuentes de conmutación de alta frecuencia entre otras aplicaciones.

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Transistor FGH40N60SFD

Características

  • Polaridad de transistor: Canal N
  • Tipo IGBT Tope de campo
  • Voltaje – Collector Emitter Breakdown (Max) 600V
  • Current – Collector (Ic) (Max) 80A
  • Current – Collector Pulsed (Icm) 120A
  • Vce (encendido) (máx.) a Vge, Ic 2.9 V a 15 V, 40 A
  • Power – Max 290W
  • Energía de conmutación 1.13 mJ (Encendido), 310 µJ (Apagado)
  • Tipo de entrada Estándar
  • Carga de compuerta 120nC
  • Td (encendido/apagado) a 25°C 25 ns/115 ns
  • Condiciones de prueba 400 V, 40 A, 10 Ohm, 15 V
  • Tiempo de recuperación inversa (trr) 45ns
  • Temperatura de operación -55 °C 150 °C (TJ)
  • Tipo de montaje Orificio pasante
  • Paquete / Caja (carcasa) TO-247-3
  • Paquete del dispositivo del proveedor TO-247

 

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SKU: C3-H-2B-FGH40N60SFD Categorías: , Etiquetas: , ,