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Transistor Mosfet IRFR3607

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El transistor Mosfet IRFR3607 es dispositvo electronico SMD de canal N con una baja resistencia de encendido y rapida velocidad de conmutacion  para ser utilizado en aplicaciones de alta potencia. Esta combinación hace que el diseño sea una opción extremadamente eficiente y fiable para su uso en sistemas electrónicos de  alta potencia y una amplia variedad de otras aplicaciones.

Agotado

Caracteristicas:

  • Tipo de FET: MOSFET
  • Polaridad de transistor: N
  • Disipación total del dispositivo (Pd): 140 W
  • Tensión drenaje-fuente |Vds|: 75 V
  • Tensión compuerta-fuente |Vgs|: 20 V
  • Corriente continua de drenaje |Id|: 80 A
  • Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C
  • Tensión umbral compuerta-fuente |Vgs(th)|: 4 V
  • Carga de compuerta (Qg): 56 nC
  • Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.009 Ohm

Aplicaciones:

  • Rectificación sincrónica de alta eficiencia.
  • Sistema de alimentación ininterrumpida
  • Conmutación de potencia de alta velocidad
  • Circuitos de  alta frecuencia

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