Transistor IGBT 60T65 N-Channel 650V 100A

El Transistor IGBT 60T65 es un dispositivo de potencia tipo N-Channel diseñado para aplicaciones de conmutación de alta energía. Integra las ventajas de los MOSFETs (alta velocidad de conmutación) y los transistores bipolares (baja caída de tensión en conducción), logrando una excelente eficiencia en sistemas de potencia. Con una tensión colector-emisor (Vce) máxima de 650V y una corriente continua del colector (Ic) de 100A, este IGBT es ideal para circuitos donde se requiere alta capacidad de corriente y control térmico estable.

El Transistor IGBT 60T65 presenta una baja tensión de saturación (Vce sat) de 1.85V, lo que reduce pérdidas durante la conducción, mejorando la eficiencia global del sistema. Su disipación total de potencia (Pc) alcanza 428W, y su temperatura operativa máxima (Tj) es de 175°C, garantizando un rendimiento confiable en entornos industriales exigentes.

Gracias a su tiempo de elevación de 54ns y capacitancia de salida (Cc) de 270pF, ofrece conmutaciones rápidas y control preciso, haciéndolo ideal para fuentes conmutadas, inversores, controladores de motor, y sistemas de energía renovable. El encapsulado TO-247 proporciona una excelente disipación térmica y facilita el montaje en disipadores o módulos de potencia.

El Transistor IGBT 60T65 representa una solución robusta para ingenieros que buscan equilibrio entre velocidad, potencia y eficiencia en aplicaciones de conversión y control eléctrico avanzado.

Funciones destacadas del Transistor IGBT 60T65:

• Conmutación eficiente en aplicaciones de alta potencia.
• Alta tensión de operación: 650V.
• Corriente continua de colector de 100A.
• Baja caída de tensión en saturación (1.85V).
• Elevada disipación de potencia: 428W.
• Alta estabilidad térmica hasta 175°C.
• Conmutación rápida (tiempo de elevación 54ns).
• Encapsulado TO-247 para montaje con disipador.

Aplicaciones comunes:

• Inversores de energía y controladores de motor.
• Fuentes conmutadas de alta potencia.
• Convertidores DC-AC y DC-DC industriales.
• Sistemas de soldadura y control de temperatura.
• Equipos de energía solar y UPS.

Características técnicas:

• Tipo: IGBT N-Channel
• Referencia: MBQ60T65PES
• Tensión colector-emisor (Vce): 650V
• Corriente de colector (Ic): 100A
• Tensión de saturación colector-emisor (Vce sat): 1.85V
• Tensión emisor-compuerta (Veg): ±20V
• Disipación total (Pc): 428W
• Tiempo de elevación: 54ns
• Capacitancia de salida (Cc): 270pF
• Temperatura operativa máxima (Tj): 175°C
• Encapsulado: TO-247

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