Transistores 2N2907 PNP TO-18 (-60V / -600mA) Pack x10
$ 3,000.0
Pack de 10 transistores 2N2907 PNP con encapsulado TO-18. Diseñados para amplificación y conmutación confiable en proyectos de electrónica y robótica.
12 disponibles
El Transistor 2N2907 PNP es un componente esencial en electrónica analógica y digital, ampliamente utilizado en aplicaciones de amplificación, conmutación y control de señales. Este pack incluye 10 unidades del modelo 2N2907 en encapsulado TO-18, ideal para desarrollos y mantenimiento de circuitos de potencia baja y media.
Con una polaridad PNP y configuración single, el 2N2907 soporta un voltaje colector-emisor (VCEO) de hasta -60 V y una corriente máxima de colector de -600 mA, proporcionando un rendimiento estable y seguro incluso en condiciones de carga variable. Su ganancia de corriente (hFE) oscila entre 75 y 300, lo que garantiza una excelente respuesta en amplificación y conmutación rápida.
El transistor ofrece una frecuencia de ganancia fT mínima de 200 MHz, lo que lo hace adecuado para aplicaciones de alta frecuencia y circuitos de señal. Su disipación de potencia máxima de 1.8 W y rango térmico de -65 °C a 150 °C aseguran un funcionamiento confiable en entornos exigentes.
Gracias a su tamaño compacto y encapsulado metálico TO-18, el Transistor 2N2907 PNP es ideal para montajes en placa de prototipo, proyectos educativos, diseños industriales, instrumentación y sistemas de control.
Funciones destacadas del Transistor 2N2907 PNP:
- Amplificación precisa de señales analógicas.
- Capacidad de conmutación rápida y estable.
- Operación segura hasta -60 V y -600 mA.
- Alta frecuencia de ganancia fT de 200 MHz.
- Compacto, duradero y fácil de integrar en PCB.
Aplicaciones comunes:
- Amplificadores de señal.
- Etapas de salida en circuitos de audio.
- Controladores de relés o LEDs.
- Proyectos de robótica y electrónica educativa.
- Circuitos de conmutación y control de baja potencia.
Características técnicas:
- Tipo: BJT PNP.
- Encapsulado: TO-18.
- Polaridad: PNP.
- Configuración: Single.
- Voltaje colector-emisor (VCEO): -60 V.
- Voltaje colector-base (VCBO): -60 V.
- Voltaje emisor-base (VEBO): -5 V.
- Corriente continua de colector: -0.6 A.
- Ganancia de corriente (hFE): 75 – 300.
- Frecuencia de ganancia fT: 200 MHz (mín).
- Disipación de potencia: 1.8 W.
- Temperatura de trabajo: -65 °C a 150 °C.
- Cantidad: 10 unidades.
Hoja de datos: 2N2907 Datasheet
Para más Transistores y Semiconductores Discretos, consulte la sección Transistores
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