Transistor PNP 2SB1369 Potencia Media

El transistor PNP 2SB1369 es un dispositivo semiconductor de potencia media diseñado para aplicaciones de amplificación y conmutación en circuitos electrónicos que requieren alta confiabilidad, estabilidad térmica y manejo eficiente de potencia. Gracias a su capacidad para operar con corrientes elevadas y tensiones controladas, este transistor se integra de forma efectiva en diseños de ingeniería electrónica, fuentes de alimentación y sistemas de control.

Además, el transistor PNP 2SB1369 soporta una tensión máxima colector-emisor de 60 V y una corriente DC máxima de colector de hasta 3 A, lo que permite controlar cargas moderadas de manera estable y segura. De este modo, el dispositivo mantiene un funcionamiento confiable incluso bajo condiciones de operación continuas o variables. Asimismo, su capacidad de disipación de potencia de hasta 40 W facilita su uso en aplicaciones donde se requiere una gestión térmica adecuada mediante disipadores.

Por otra parte, el amplio rango de temperatura de funcionamiento y almacenamiento, que va desde -55 °C hasta +150 °C, asegura un desempeño consistente en entornos industriales, automotrices y de laboratorio. Gracias a esta característica, el transistor PNP 2SB1369 conserva sus parámetros eléctricos aun cuando se expone a variaciones térmicas significativas.

Igualmente, este transistor resulta compatible con configuraciones estándar de transistores PNP, lo que simplifica el diseño, mantenimiento y reemplazo en circuitos electrónicos existentes. A esto se suma su utilidad en proyectos de electrónica, robótica y sistemas de potencia donde se requiere un componente robusto y de alto desempeño.

En consecuencia, el transistor PNP 2SB1369 representa una solución técnica confiable para aplicaciones que demandan control eficiente de corriente, buena disipación de potencia y operación estable a largo plazo.

Funciones destacadas del transistor PNP 2SB1369:

• Permite amplificación eficiente de señales eléctricas.
• Facilita conmutación estable de cargas.
• Soporta corrientes elevadas de hasta 3 A.
• Ofrece alta capacidad de disipación de potencia.
• Mantiene estabilidad térmica en amplios rangos de temperatura.

Aplicaciones comunes:

• Fuentes de alimentación y regulación.
• Amplificadores de potencia.
• Circuitos de control electrónico.
• Proyectos de electrónica e ingeniería.
• Sistemas de conmutación de cargas.

Características técnicas:

• Tipo de transistor: PNP
• Modelo: 2SB1369
• Tensión colector-emisor (Vce): 60 V
• Tensión colector-base (Vcb): 60 V
• Tensión emisor-base (Veb): 5 V
• Corriente DC máxima de colector (Ic): 3 A
• Disipación de potencia máxima: 40 W
• Rango de temperatura de operación y almacenamiento: -55 °C a +150 °C

Hoja de datos:2SB1369

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