Transistor NPN 2N3053 TO-39

El 2N3053 es un transistor NPN de propósito general fabricado en silicio, desarrollado para aplicaciones donde se requiere alta velocidad de conmutación y buen desempeño en amplificación de señales. Gracias a su elevada frecuencia de transición y baja capacitancia interna, es ampliamente utilizado en circuitos de RF, audio, instrumentación y electrónica industrial.

Este transistor puede manejar una corriente máxima de colector de 700 mA y un voltaje colector-emisor de hasta 40 V, ofreciendo una potencia de disipación de hasta 5 W cuando se utiliza adecuadamente con el encapsulado metálico TO-39, el cual proporciona una excelente disipación térmica y alta confiabilidad.

El 2N3053 se emplea frecuentemente en etapas amplificadoras, osciladores, controladores de relés, reguladores de voltaje, conmutación de cargas y equipos de comunicación. Su compatibilidad con una amplia variedad de diseños lo convierte en un componente muy utilizado tanto en mantenimiento electrónico como en nuevos desarrollos.

Funciones destacadas

• Transistor bipolar NPN de silicio.
• Alta velocidad de conmutación.
• Frecuencia de transición de hasta 100 MHz.
• Corriente de colector de hasta 700 mA.
• Voltaje colector-emisor de hasta 40 V.
• Baja capacitancia interna.
• Excelente estabilidad térmica.
• Encapsulado metálico TO-39.
• Ideal para amplificación y conmutación.
• Alta confiabilidad.

Usos comunes

• Amplificadores de audio.
• Amplificadores de RF.
• Osciladores.
• Reguladores de voltaje.
• Control de relés.
• Circuitos de conmutación.
• Equipos de comunicación.
• Instrumentación electrónica.
• Equipos industriales.
• Proyectos electrónicos.

Características técnicas

• Modelo: 2N3053.
• Tipo: Transistor bipolar NPN.
• Material: Silicio.
• Voltaje colector-emisor (VCEO): 40 V.
• Voltaje colector-base (VCBO): 60 V.
• Voltaje emisor-base (VEBO): 5 V.
• Corriente máxima de colector (IC): 700 mA.
• Potencia máxima de disipación (PD): 5 W.
• Ganancia de corriente (hFE): 50 a 250.
• Frecuencia de transición (fT): 100 MHz (típica).
• Temperatura de operación: -65 °C a +200 °C.
• Encapsulado: TO-39.
• Montaje: Through Hole (THT). (onsemi.com)

Datasheet

2N3053 – NPN Silicon High Frequency Transistor

Contenido relacionado

Buscar en la página más opciones:
Para más productos consulte la sección: Transistores Bipolares (BJT), Transistores NPN y Transistores de Alta Frecuencia.

Buscar contenido relacionado:
Conozca más sobre Transistores NPN de alta frecuencia.