Transistor MOSFET P-Channel IRFP9140

El Transistor Mosfet IRFP9140 es un componente esencial para proyectos de electrónica y sistemas de potencia que requieren eficiencia, fiabilidad y conmutación rápida. Este MOSFET P-Channel ofrece una disipación total de 180 W y puede soportar hasta 100 V entre drenaje y fuente, con una corriente continua de drenaje de 21 A, lo que lo hace ideal para aplicaciones de control de potencia y conmutación de alta corriente.

Con una tensión de compuerta-fuente máxima de 20 V y un umbral Vgs(th) de 4 V, el IRFP9140 permite un control preciso de la activación del transistor, optimizando la eficiencia energética y reduciendo pérdidas en el circuito. Su resistencia drenaje-fuente RDS(on) de 0.2 Ohm minimiza la caída de tensión y mejora la disipación térmica, mientras que la capacitancia de drenaje-sustrato (Cd) de 590 pF y la carga de compuerta (Qg) de 61 nC garantizan un rendimiento estable en aplicaciones de conmutación rápida.

El tiempo de elevación (tr) de 73 nS asegura que el transistor responda rápidamente a señales de control, ideal para convertidores DC-DC, controladores de motor, amplificadores de potencia y otras aplicaciones electrónicas que requieren respuesta dinámica. Además, el encapsulado TO-247AC facilita la disipación de calor y la integración en sistemas electrónicos de alta potencia.

En resumen, el Transistor Mosfet IRFP9140 combina alta corriente, baja resistencia y conmutación rápida, ofreciendo un rendimiento confiable en aplicaciones de ingeniería, robótica y electrónica de potencia. Su robustez y versatilidad lo convierten en una opción confiable para proyectos profesionales y educativos.

Funciones destacadas del Transistor Mosfet IRFP9140:

• MOSFET P-Channel de alta potencia con disipación de 180 W.
• Soporta hasta 100 V entre drenaje y fuente y 21 A de corriente continua.
• Respuesta rápida con tiempo de elevación de 73 nS.
• Baja resistencia RDS(on) de 0.2 Ohm para mínima pérdida de energía.
• Capacidad de conmutación eficiente gracias a Cd de 590 pF y Qg de 61 nC.
• Encapsulado TO-247AC que facilita disipación de calor.

Aplicaciones comunes:

• Convertidores DC-DC y controladores de voltaje.
• Controladores de motor y sistemas de potencia.
• Amplificadores de potencia y circuitos de audio.
• Aplicaciones de robótica y automatización industrial.
• Sistemas electrónicos de alta corriente y conmutación rápida.

Características técnicas:

• Polaridad: P-Channel
• Disipación total: 180 W
• Tensión drenaje-fuente |Vds|: 100 V
• Tensión compuerta-fuente |Vgs|: 20 V
• Corriente continua de drenaje |Id|: 21 A
• Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C
• Tensión umbral compuerta-fuente |Vgs(th)|: 4 V
• Carga de compuerta (Qg): 61 nC (máx)
• Tiempo de elevación (tr): 73 nS
• Conductancia drenaje-sustrato (Cd): 590 pF
• Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.2 Ohm
• Encapsulado: TO-247AC

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