Transistor MOSFET IRFR5410 N-Canal 100V 13A

El Transistor MOSFET IRFR5410 es un dispositivo de potencia tipo N-Canal diseñado para ofrecer una conmutación rápida y un bajo nivel de pérdidas en aplicaciones electrónicas de alta demanda. Gracias a su capacidad de manejar hasta 13 amperios de corriente continua y soportar tensiones de drenaje-fuente de 100 voltios, se posiciona como una solución eficiente para proyectos que requieren control preciso de potencia y alta fiabilidad.

Su baja resistencia drenaje-fuente (RDS(on)) de 0.205 Ω minimiza las pérdidas por conducción, mejorando la eficiencia térmica y reduciendo la generación de calor durante la operación. El Transistor MOSFET IRFR5410 posee además una tensión umbral de compuerta-fuente (Vgs(th)) de 4 V, lo que permite un control sencillo con niveles lógicos comunes en sistemas de microcontroladores o controladores PWM.

El tiempo de elevación de 58 ns garantiza una conmutación rápida, esencial en convertidores DC-DC, inversores y controladores de motores. Su capacidad de disipación de 66 W y una temperatura operativa máxima de 150 °C lo hacen apto para entornos industriales o de robótica donde la robustez es esencial.

En proyectos de ingeniería, electrónica de potencia o automatización, este MOSFET destaca por su combinación de eficiencia, durabilidad y rendimiento confiable. Su encapsulado TO-252 (DPAK) permite una excelente disipación térmica y montaje superficial eficiente.

Funciones destacadas del Transistor MOSFET IRFR5410:

• Alta capacidad de conmutación con baja pérdida de energía.
• Rápida respuesta transitoria para señales PWM.
• Baja resistencia RDS(on) para mayor eficiencia energética.
• Control confiable con tensiones lógicas estándar.
• Alta capacidad de disipación térmica.

Aplicaciones comunes:

• Convertidores DC-DC y fuentes conmutadas.
• Controladores de motores DC y BLDC.
• Etapas de potencia en sistemas de automatización.
• Inversores y sistemas solares.
• Electrónica de control industrial y robótica.

Características técnicas:

• Tipo: N-Canal
• Tensión drenaje-fuente (Vds): 100 V
• Corriente continua de drenaje (Id): 13 A
• Tensión compuerta-fuente (Vgs): ±20 V
• Tensión umbral de compuerta-fuente (Vgs(th)): 4 V
• Resistencia drenaje-fuente (RDS(on)): 0.205 Ω
• Carga de compuerta (Qg): 58 nC máx
• Tiempo de elevación (tr): 58 ns
• Capacitancia drenaje-sustrato (Cd): 260 pF
• Potencia disipada (Pd): 66 W
• Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
• Encapsulado: TO-252 (DPAK)

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