Transistor MOSFET IRFR3806 N-Canal 60V 43A

El Transistor MOSFET IRFR3806 es un dispositivo N-Canal de alta eficiencia diseñado para tareas de conmutación rápida y control de potencia en sistemas electrónicos modernos. Con una tensión drenaje-fuente (Vds) de 60 V y una corriente continua de drenaje (Id) de 43 A, este MOSFET ofrece un excelente equilibrio entre capacidad de carga, velocidad y estabilidad térmica.

Su baja resistencia drenaje-fuente (RDS(on)) de 0.0158 Ω garantiza pérdidas mínimas por conducción, mejorando la eficiencia general del sistema. Además, su carga de compuerta (Qg) de solo 22 nC permite una conmutación rápida y un control preciso mediante señales lógicas estándar, lo que lo hace ideal para controladores PWM y microcontroladores.

El Transistor MOSFET IRFR3806 soporta una disipación total de 71 W y puede operar a temperaturas de hasta 175 °C, lo que asegura un rendimiento confiable incluso bajo condiciones de carga exigentes. Su diseño optimizado para montaje superficial (encapsulado DPAK) facilita la integración en circuitos compactos y de alta densidad.

Este MOSFET es ampliamente utilizado en fuentes conmutadas, controladores de motores, convertidores DC-DC e inversores, donde la eficiencia y la velocidad de respuesta son prioritarias. Su estructura robusta y su bajo nivel de pérdidas lo convierten en una opción confiable para proyectos de ingeniería y robótica avanzada.

Funciones destacadas del Transistor MOSFET IRFR3806:

• Baja resistencia RDS(on) de 0.0158 Ω para alta eficiencia.
• Alta capacidad de corriente de hasta 43 A.
• Conmutación rápida con carga de compuerta reducida (22 nC).
• Excelente rendimiento térmico con Pd de 71 W.
• Compatible con controladores lógicos estándar.

Aplicaciones comunes:

• Convertidores DC-DC y fuentes conmutadas.
• Controladores de motores DC y BLDC.
• Inversores de energía y sistemas solares.
• Robótica y automatización industrial.
• Control de potencia en equipos electrónicos.

Características técnicas:

• Tipo de FET: MOSFET
• Polaridad: N-Canal
• Tensión drenaje-fuente (Vds): 60 V
• Corriente continua de drenaje (Id): 43 A
• Tensión compuerta-fuente (Vgs): ±20 V
• Tensión umbral compuerta-fuente (Vgs(th)): 4 V
• Resistencia drenaje-fuente (RDS(on)): 0.0158 Ω
• Carga de compuerta (Qg): 22 nC
• Potencia disipada (Pd): 71 W
• Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C
• Encapsulado: DPAK (TO-252)

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