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7 años de experiencia en robótica competitiva.

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Transistor Mosfet IRFR3710Z smd

$ 0.4

Este MOSFET de potencia HEXFET® utiliza técnicas de procesamiento para lograr una resistencia extremadamente baja por área de silicio. Su temperatura de funcionamiento es de  175 °C, máxima disipación de potencia  140W y tiene una velocidad de conmutación rápida. Extremadamente eficiente y confiable.

 

10 disponibles

Características:

  • Voltaje de ruptura de drenaje a fuente 100 V
  • Corriente de drenaje continua 56 V
  • Resistencia entre drenaje y fuente 18 Ω
  • Voltaje umbral  2v – 4v
  • Carga de puerta 69 – 100 nc
  • Temperatura de funcionamiento de 175 °C
  • Cambio rápido

HOJA DE DATOS : IRFR3710Z

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SKU: C3-F-6-A Categorías: , Etiquetas: , , ,