Transistor Mosfet IRFR3710Z smd
$ 0.4
Este MOSFET de potencia HEXFET® utiliza técnicas de procesamiento para lograr una resistencia extremadamente baja por área de silicio. Su temperatura de funcionamiento es de 175 °C, máxima disipación de potencia 140W y tiene una velocidad de conmutación rápida. Extremadamente eficiente y confiable.
10 disponibles
Características:
- Voltaje de ruptura de drenaje a fuente 100 V
- Corriente de drenaje continua 56 V
- Resistencia entre drenaje y fuente 18 Ω
- Voltaje umbral 2v – 4v
- Carga de puerta 69 – 100 nc
- Temperatura de funcionamiento de 175 °C
- Cambio rápido
HOJA DE DATOS : IRFR3710Z
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