Transistor MOSFET IRFP90N20D 200V 94A TO-247

El Transistor MOSFET IRFP90N20D es un dispositivo de canal N de alta potencia diseñado para conmutación rápida y control eficiente en aplicaciones electrónicas de gran demanda. Con una tensión de drenaje (VDS) de 200 V y una corriente continua de 94 A, proporciona un rendimiento excepcional en circuitos donde se requiere alta capacidad de carga y mínima disipación térmica.

Fabricado con tecnología MOSFET avanzada, el IRFP90N20D ofrece una baja resistencia de conducción (RDS(on)), lo que reduce las pérdidas energéticas y mejora la eficiencia global del sistema. Su estructura permite una conmutación rápida, ideal para fuentes de alimentación conmutadas, inversores de corriente, controladores de motor y convertidores DC-DC.

El encapsulado TO-247 asegura una excelente disipación térmica y robustez mecánica, soportando altas temperaturas y garantizando estabilidad a largo plazo en entornos industriales o automotrices. Este formato facilita el montaje con disipadores y la integración en sistemas de potencia compactos.

Gracias a su combinación de alta corriente, rápida conmutación y baja pérdida de energía, el Transistor MOSFET IRFP90N20D es una elección confiable para diseñadores de sistemas de control, ingenieros de potencia y desarrolladores de proyectos electrónicos avanzados.

Funciones destacadas del Transistor MOSFET IRFP90N20D:

• Alta capacidad de corriente continua de 94 A.
• Soporte de tensión de drenaje hasta 200 V.
• Baja resistencia RDS(on) para máxima eficiencia.
• Alta velocidad de conmutación.
• Encapsulado TO-247 con excelente disipación térmica.
• Confiabilidad para aplicaciones industriales y de potencia.

Aplicaciones comunes:

• Inversores y convertidores DC-DC.
• Fuentes de alimentación conmutadas (SMPS).
• Controladores de motor DC y PWM.
• Amplificadores de potencia clase D.
• Sistemas automotrices y control de carga.

Características técnicas:

• Tipo: MOSFET de canal N
• Modelo: IRFP90N20D
• Voltaje Drain-Source (VDS): 200 V
• Corriente Drain continua (ID): 94 A
• Encapsulado: TO-247
• Resistencia RDS(on): Baja (típicamente <0.04 Ω)
• Tipo de conmutación: Rápida
• Capacidad de disipación térmica: Alta
• Aplicación: Potencia, control y conmutación

Hoja de datos:Hoja de datos

Para más Transistores MOSFET y Componentes de Potencia, consulte la sección Transistores