Transistor Mosfet IRFP360
$ 2.7
El transistor IRFP360 están diseñados para aplicaciones tales como reguladores de conmutación, convertidores de conmutación, controladores de motores, Controladores de relé y controladores para conmutación bipolar de alta potencia. Estos transistores que requieren alta velocidad y baja potencia de accionamiento de puerta (Gate), pueden ser operados directamente desde circuitos integrados.
10 disponibles
- Número de Parte: IRFP360
- Tipo de FET: MOSFET
- Polaridad de transistor: N
- Empaquetado:TO247AC
- Máxima disipación de potencia (Pd): 280 W
- Voltaje máximo drenador – fuente |Vds|: 400 V
- Voltaje máximo fuente – puerta |Vgs|: 20 V
- Corriente continua de drenaje |Id|: 23 A
- Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
- Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
- Carga de la puerta (Qg): 210(max) nC
- Tiempo de subida (tr): 79 nS
- Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 1100 pF
- Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.2 Ohm
Hoja de datos:IRFP360
Debes acceder para publicar una valoración.
Productos relacionados
-
Añadir al carritoEl ransistor MOSFET IRFBC40 es un componente electrónico que controla corrientes muy elevadas y su función es amplificar o interrumpir. Los Mosfet comunes en el mercado son Canal N y Canal P, contienen tienen tres terminales de salida que se llaman: Drain, Source y Gate por sus siglas en ingles. Este transistor de efecto de campo de potencia de puerta de silicio con modo de mejora de canal N es un MOSFET de potencia avanzado diseñado, probado y garantizado para soportar un nivel específico de energía en el modo de operación de avalancha de ruptura.
-
Añadir al carritoTIP32C Transistor BJT PNP -100V / -3A TO-220 es un semiconductor bipolar de alta potencia de juntura PNP.
Este transistor es capaz de disipar hasta 40W, puede controlar dispositivos que consuman hasta 3A o que requieran tensiones de hasta 100VDC.
-
Transistor 2SD1415 NPN
$ 0.6Añadir al carritoAplicaciones de conmutación de alta potencia, también cuenta con accionamiento de martillo enfocado para el uso de accionamiento de motor de impulsos
-
Añadir al carritoTransistor Mosfet IRFP4868E tiene una rápida velocidad de conmutación y el diseño robusto por el que son conocidos los MOSFET de potencia HEXFET, proporciona al diseñador un dispositivo extremadamente eficiente y fiable para su uso en una amplia variedad de aplicaciones.
-
Triac BT137 600V 8A
$ 0.6Añadir al carritoEl TRIAC BT137 es un dispositivo semiconductor de potencia ampliamente utilizado en aplicaciones de control de corriente alterna (AC). Diseñado para manejar corrientes de hasta 8A y voltajes de hasta 600V, el BT137 es especialmente adecuado para el control de carga resistiva e inductiva en circuitos de baja potencia y aplicaciones de conmutación de AC.
Valoraciones
No hay valoraciones aún.