Transistor MOSFET IRF840 N-Channel TO-220AB

El transistor MOSFET IRF840 es un dispositivo de potencia tipo N-Channel optimizado para aplicaciones que requieren alta tensión y conmutación rápida. Con una tensión drenaje-fuente (Vds) de 500 V y una corriente continua de drenaje (Id) de 8 A, este componente ofrece un equilibrio ideal entre capacidad de carga, eficiencia y confiabilidad en sistemas de control de potencia.

Su resistencia drenaje-fuente RDS(on) de 0.85 Ω contribuye a reducir las pérdidas energéticas durante la conducción, mientras que su disipación total de 125 W y su encapsulado TO-220AB garantizan una gestión térmica efectiva. El IRF840 incorpora una carga de compuerta (Qg) máxima de 63 nC y un tiempo de elevación (tr) de 23 ns, lo que permite una conmutación veloz y eficiente en circuitos de alta frecuencia.

Diseñado para operar en un amplio rango térmico de hasta 150 °C, este MOSFET mantiene estabilidad eléctrica y térmica en entornos industriales y de laboratorio. Su capacidad para manejar altos voltajes lo convierte en una excelente opción para fuentes conmutadas (SMPS), inversores, convertidores DC-DC y etapas de potencia en sistemas de control automático.

El transistor MOSFET IRF840 combina robustez, velocidad y fiabilidad, siendo una solución probada para ingenieros y técnicos que buscan control preciso y duradero en circuitos de alta tensión.

Funciones destacadas del transistor MOSFET IRF840:

• Soporta tensiones de hasta 500 V.
• Corriente de drenaje continua de 8 A.
• Conmutación rápida con tr = 23 ns.
• Alta disipación térmica (125 W).
• Ideal para aplicaciones de potencia y control industrial.

Aplicaciones comunes:

• Fuentes de alimentación conmutadas (SMPS).
• Inversores y convertidores de energía.
• Controladores de motores eléctricos.
• Etapas de salida en amplificadores de potencia.
• Circuitos de control y automatización.

Características técnicas:

• Tipo de FET: MOSFET.
• Polaridad: N-Channel.
• Tensión drenaje-fuente (Vds): 500 V.
• Corriente continua de drenaje (Id): 8 A.
• Tensión compuerta-fuente (Vgs): ±20 V.
• Tensión umbral (Vgs(th)): 4 V.
• Carga de compuerta (Qg): 63 nC (máx.).
• Tiempo de elevación (tr): 23 ns.
• Conductancia drenaje-sustrato (Cd): 310 pF.
• Resistencia drenaje-fuente (RDS(on)): 0.85 Ω.
• Disipación total (Pd): 125 W.
• Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C.
• Encapsulado: TO-220AB.

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