Transistor MOSFET IRF520 Canal N 100V TO-220AB

El Transistor MOSFET IRF520 es un dispositivo de potencia de canal N ampliamente utilizado en aplicaciones de conmutación y control energético. Gracias a su tensión drenaje–fuente de 100 V y a su capacidad de manejar corrientes de drenaje de hasta 16 A, este MOSFET resulta adecuado para fuentes conmutadas, controladores de carga y sistemas electrónicos de potencia.

Este transistor presenta una resistencia drenaje–fuente en conducción de solo 0.27 ohms, por lo tanto, reduce las pérdidas por conducción y mejora la eficiencia del circuito. Además, el Transistor MOSFET IRF520 soporta una potencia total de disipación de 60 W a 25 °C, siempre que se implemente una correcta gestión térmica mediante disipadores adecuados.

El Transistor MOSFET IRF520 opera con un voltaje compuerta–fuente de 10 V, lo que permite su control directo desde circuitos de manejo estándar. Asimismo, cuenta con capacitancia, voltaje y corriente de avalancha totalmente caracterizados, garantizando un comportamiento predecible y confiable frente a transitorios eléctricos.

Gracias a su baja carga de compuerta, el Transistor MOSFET IRF520 asegura un manejo sencillo y una conmutación eficiente, incluso a frecuencias moderadas. Su encapsulado TO-220AB facilita tanto el montaje como la disipación térmica, por lo tanto, se convierte en una solución práctica y robusta para proyectos de electrónica, robótica e ingeniería.

Funciones destacadas del Transistor MOSFET IRF520:

• Permite conmutación eficiente en aplicaciones de potencia media.
• Reduce pérdidas por conducción gracias a su bajo RDS(on).
• Facilita el control por su bajo voltaje de compuerta.
• Ofrece protección y comportamiento estable ante avalanchas.
• Simplifica el montaje y la disipación térmica.

Aplicaciones comunes:

• Fuentes de alimentación conmutadas.
• Control de motores DC y relés.
• Etapas de conmutación y amplificación de potencia.
• Sistemas de automatización y control.
• Proyectos educativos y de prototipado electrónico.

Características técnicas:

• Tipo: Transistor MOSFET de potencia
• Modelo: IRF520
• Canal: N
• Tensión drenaje–fuente (VDS): 100 V
• Corriente de drenaje (ID): 16 A
• Resistencia drenaje–fuente (RDS(on)): 0.27 Ω
• Potencia total de disipación: 60 W
• Voltaje compuerta–fuente (VGS): 10 V
• Temperatura de referencia de disipación: 25 °C
• Características de avalancha: Totalmente caracterizadas
• Encapsulado: TO-220AB

Hoja de datos: IRF520 , Comprobación IRF520

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