Transistor MOSFET FDN360P 30V 2A SMD

El Transistor MOSFET FDN360P es un componente de conmutación de canal P diseñado para ofrecer alta eficiencia energética y bajo consumo en aplicaciones de bajo voltaje. Su diseño compacto lo convierte en una excelente opción para dispositivos portátiles, sistemas integrados y circuitos de control de potencia donde el espacio y la disipación térmica son factores críticos.

Con un voltaje drenaje-fuente (Vds) de 30V y una corriente de drenaje continua (Id) de 2A, el FDN360P proporciona una conmutación estable y confiable en múltiples configuraciones electrónicas. Su voltaje de compuerta a fuente (Vgs) de ±20V le otorga una excelente tolerancia ante variaciones de señal, manteniendo la precisión y seguridad en la operación del circuito.

La disipación de potencia (Pd) de 500mW y su amplio rango de temperatura operativa de -55°C a +150°C aseguran un rendimiento estable en condiciones exigentes, reduciendo riesgos de sobrecalentamiento y extendiendo la vida útil del componente. Además, su diseño SMD permite integración directa en placas de circuito impreso, optimizando el ensamblaje automatizado y minimizando pérdidas por resistencia parásita.

Gracias a su velocidad de conmutación y características térmicas, el Transistor MOSFET FDN360P es ideal para aplicaciones en fuentes de alimentación reguladas, conmutadores de baja potencia, controladores de carga, circuitos de protección y dispositivos electrónicos miniaturizados. Su rendimiento estable y su formato de montaje superficial lo hacen indispensable en proyectos de electrónica moderna y de precisión.

Funciones destacadas del Transistor MOSFET FDN360P:

• Conmutación rápida y eficiente en bajo voltaje.
• Corriente de drenaje continua de 2A.
• Alta estabilidad térmica hasta 150°C.
• Encapsulado SMD ideal para montaje superficial.
• Bajo consumo y pérdidas mínimas por resistencia interna.
• Compatible con aplicaciones de control y regulación de potencia.

Aplicaciones comunes:

• Fuentes de alimentación reguladas de bajo voltaje.
• Controladores de carga y circuitos de protección.
• Equipos electrónicos compactos y portátiles.
• Sistemas integrados y módulos de automatización.
• Prototipos y proyectos de robótica miniaturizada.

Características técnicas:

• Modelo: FDN360P
• Tipo: MOSFET de canal P
• Voltaje Drain-Source (Vds): 30V
• Voltaje Gate-Source (Vgs): ±20V
• Corriente de drenaje continua (Id): 2A
• Disipación de potencia (Pd): 500mW
• Rango de temperatura de operación: -55°C a +150°C
• Encapsulado: SMD (Montaje Superficial)

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