Transistor MOSFET 2SJ374 Canal P 60 V 20 A TO-220F

El MOSFET 2SJ374 de canal P es un semiconductor de potencia de modo de enriquecimiento destinado a circuitos que requieren conmutación eficiente. Entre sus aplicaciones se encuentran las fuentes conmutadas, los convertidores DC-DC y los sistemas de accionamiento de motores. La hoja de datos de Inchange Semiconductor especifica una tensión drenador-fuente máxima de −60 V, una tensión compuerta-fuente de ±15 V y una corriente continua de drenador de −20 A con la carcasa a 37 °C.

Este componente puede utilizarse en etapas de control de potencia y diseños electrónicos compatibles. La resistencia de conducción, la capacidad de corriente y la disipación térmica dependen de las condiciones de operación y de la versión del fabricante. Por ello, antes de reemplazar otro transistor o incorporarlo a un circuito, es importante revisar la hoja de datos correspondiente al componente adquirido. Las referencias consultadas identifican versiones en encapsulado TO-220F y también documentación asociada a encapsulados TO-220 aislados; no debe asumirse que todas las versiones son mecánicamente idénticas.

Características destacadas del MOSFET 2SJ374

• Transistor MOSFET de potencia de canal P.
• Modo de operación por enriquecimiento.
• Tensión máxima drenador-fuente: −60 V.
• Corriente continua máxima de drenador: −20 A, bajo las condiciones especificadas.
• Tensión compuerta-fuente: ±15 V en la hoja de datos de Inchange Semiconductor.
• Baja resistencia de conducción, según la versión.
• Diseñado para conmutación de alta velocidad.
• Aplicable a convertidores DC-DC y accionamiento de motores.
• Encapsulado TO-220F en versiones documentadas por distribuidores.

Usos comunes en electrónica

• Fuentes de alimentación conmutadas.
• Convertidores DC-DC.
• Circuitos de accionamiento de motores.
• Etapas de conmutación de potencia.
• Sistemas de control de cargas eléctricas.
• Reparación y mantenimiento de equipos electrónicos.
• Prototipos de electrónica de potencia.

Características técnicas

• Modelo: 2SJ374.
• Tipo: MOSFET de potencia.
• Canal: P.
• Modo de operación: Enriquecimiento.
• Tensión drenador-fuente (VDSS): −60 V.
• Tensión compuerta-fuente (VGS): ±15 V, según la hoja de datos de Inchange Semiconductor.
• Corriente continua de drenador (ID): −20 A con la carcasa a Tc = 37 °C, según la hoja de datos consultada.
• Disipación total de potencia: 40 W con la carcasa a Tc = 25 °C, según Inchange Semiconductor.
• Temperatura máxima de unión: 150 °C.
• Temperatura de almacenamiento: −55 °C a +150 °C.
• Resistencia térmica unión-carcasa: 3,1 °C/W máxima, según la hoja de datos consultada.
• Encapsulado: TO-220F en determinadas versiones.
• Montaje: A través de orificios.
• Aplicación principal: Conmutación de potencia, convertidores DC-DC y control de motores.
• Fabricante: Verificar según la unidad comercializada.

Datasheet:

–2SJ374–

Contenido relacionado

Para más componentes de esta categoría, consulte la seccion Transistores

Para mas informacion, consulte -Transistores