Transistor IGBT K75T60 N-Channel 600V 80A TO-247

El transistor IGBT K75T60 (modelo IKW75N60T) es un dispositivo semiconductor de tipo N-Channel diseñado para aplicaciones de potencia que requieren alta eficiencia y capacidad de conmutación. Con una tensión colector-emisor (Vce) máxima de 600 V y una corriente de colector continua de 80 A, este IGBT ofrece un rendimiento sobresaliente en sistemas de conversión y control de energía de media y alta potencia.

Su bajo voltaje de saturación Vce(sat) de 1.5 V reduce las pérdidas de conducción, mejorando la eficiencia térmica del sistema. Además, su disipación total (Pc) de 428 W y su encapsulado TO-247 aseguran una excelente capacidad de manejo térmico, permitiendo operación continua bajo cargas exigentes.

El transistor IGBT K75T60 combina las ventajas de los MOSFETs de potencia (alta velocidad de conmutación) con las de los transistores bipolares (baja pérdida en conducción), lo que lo hace ideal para inversores, convertidores DC-AC, controladores de motores industriales y fuentes conmutadas. Su arquitectura de puerta aislada permite un control eficiente con niveles de tensión moderados, simplificando la integración en diseños electrónicos modernos.

Diseñado para ofrecer confiabilidad, velocidad y durabilidad, el K75T60 es adecuado para aplicaciones donde se requiere control preciso de energía y eficiencia térmica óptima.

Funciones destacadas del transistor IGBT K75T60:

• Alta tensión de operación: 600 V.
• Corriente de colector continua de hasta 80 A.
• Baja caída Vce(sat) de 1.5 V para menor pérdida de potencia.
• Disipación total elevada: 428 W.
• Conmutación rápida y eficiente.
• Encapsulado TO-247 para óptima gestión térmica.

Aplicaciones comunes:

• Inversores de potencia y convertidores DC-AC.
• Controladores de motores eléctricos.
• Fuentes de alimentación conmutadas (SMPS).
• Sistemas de soldadura y control industrial.
• Equipos de energía renovable y automatización.

Características técnicas:

• Código del modelo: IKW75N60T.
• Tipo de transistor: IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor).
• Polaridad: N-Channel.
• Tensión colector-emisor (Vce): 600 V.
• Corriente máxima de colector (Ic): 80 A.
• Voltaje de saturación colector-emisor (Vce sat): 1.5 V.
• Disipación total (Pc): 428 W.
• Encapsulado: TO-247.

Hoja de datos:K75T60

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