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Etiqueta: Transistor IGBT

Transistor IGBT

Mostrando los 4 resultados

  • El Transistor IGBT 60T65 es un transistor bipolar de puerta aislada (conocido por la sigla IGBT, del inglés Insulated Gate Bipolar Transistor), es un dispositivo semiconductor que posee características de señales de efecto de campo con la capacidad de alta corriente y bajo voltaje de saturación. Este transistor cuenta con un encapsulado de TO-247 de 3 pines, soporta un voltaje VCEO colector-emisor de hasta 650V.

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  • Este es un transistor de canal utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas en inversores, UPS, soldadores, rectificación, fuentes de conmutación de alta frecuencia entre otras aplicaciones.

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  • El IGBT K40H603 es un transistor  de canal N ideal para aplicaciones de electronica y convertidores de alta frecuencia gracias a su potencia de disipacion 306 W. Viene en un encapsulado TO247.

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  • El IGBT K75T60 es un transistor  de canal N ideal para aplicaciones de electronica y convertidores de alta frecuencia gracias a su potencia de disipacion 428 W. Viene en un encapsulado TO247.

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