Transistor IGBT FGH40N60SFD 600V 80A TO-247

El Transistor IGBT FGH40N60SFD es un dispositivo de canal N tipo tope de campo optimizado para aplicaciones de potencia donde se requiere alta eficiencia, baja pérdida de conducción y rápida conmutación. Su diseño avanzado lo convierte en una excelente elección para inversores, fuentes conmutadas y controladores de motores industriales.

Este IGBT soporta un voltaje de ruptura colector-emisor (VCE) de 600V y una corriente continua (IC) de 80A, con un pico de corriente (ICM) de hasta 120A, lo que permite manejar cargas dinámicas sin comprometer la fiabilidad. Presenta una baja caída de tensión (VCE(sat)) de 2.9V a 40A y 15V, minimizando las pérdidas por conducción.

Su energía de conmutación se mantiene en valores reducidos —1.13mJ en encendido y 310µJ en apagado— lo que garantiza un excelente rendimiento térmico y eficiencia en sistemas de alta frecuencia. Con tiempos de conmutación rápidos (td(on) = 25ns, td(off) = 115ns) y una carga de compuerta de 120nC, el FGH40N60SFD logra un balance óptimo entre velocidad y estabilidad de operación.

Además, su tiempo de recuperación inversa (trr) de 45ns contribuye a reducir pérdidas durante la conmutación, mejorando la eficiencia total del sistema. El paquete TO-247-3 facilita el montaje en orificio pasante, asegurando una disipación térmica superior y un contacto confiable para altas corrientes.

El Transistor IGBT FGH40N60SFD ofrece una potencia máxima de 290W y opera en un rango de temperatura de -55°C a +150°C, manteniendo su rendimiento en condiciones extremas. Su arquitectura de entrada estándar y distribución de parámetros ajustada garantizan estabilidad y compatibilidad con controladores de compuerta convencionales.

Funciones destacadas del Transistor IGBT FGH40N60SFD:

• Canal N tipo tope de campo con 600V y 80A.
• Alta corriente pulsada de hasta 120A.
• Baja caída VCE(sat) de 2.9V a 40A.
• Energía de conmutación total reducida (1.13mJ / 310µJ).
• Alta potencia disipada: 290W.
• Rápida conmutación: 25ns encendido, 115ns apagado.
• Recuperación inversa rápida (trr = 45ns).
• Amplio rango térmico (-55°C a 150°C).
• Montaje en orificio pasante, encapsulado TO-247-3.

Aplicaciones comunes:

• Inversores industriales y solares.
• Controladores de motores trifásicos.
• Fuentes de alimentación conmutadas (SMPS).
• Convertidores DC-AC y UPS.
• Equipos de automatización y control de potencia.

Características técnicas:

• Tipo: Transistor IGBT canal N
• Referencia: FGH40N60SFD
• Tipo de tecnología: Tope de campo
• Voltaje colector-emisor (VCE): 600V
• Corriente colector continua (IC): 80A
• Corriente colector pulsada (ICM): 120A
• VCE(sat): 2.9V @ 15V, 40A
• Energía de conmutación: 1.13mJ (on), 310µJ (off)
• Carga de compuerta (Qg): 120nC
• Tiempos de conmutación: td(on) = 25ns / td(off) = 115ns
• Tiempo de recuperación inversa (trr): 45ns
• Potencia máxima (Pmax): 290W
• Temperatura operativa (Tj): -55°C a 150°C
• Tipo de entrada: estándar
• Montaje: orificio pasante
• Encapsulado: TO-247-3

Hoja de datos: Hoja de datos

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