Transistor IGBT 30J127 600V 200A TO-220
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El Transistor IGBT 30J127 permite conmutación de alta potencia con estabilidad y eficiencia. Soporta 600V y 200A en encapsulado TO-220.
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El Transistor IGBT 30J127 es un semiconductor de potencia diseñado para aplicaciones que requieren manejo eficiente de altas tensiones y corrientes. Gracias a su arquitectura IGBT, este dispositivo combina la alta impedancia de entrada de los MOSFET con la baja pérdida de conducción característica de los transistores bipolares, lo que mejora el rendimiento general del sistema.
Este componente soporta un voltaje colector-emisor (VCES) de hasta 600 V y una corriente continua de colector (IC) de 200 A, por lo tanto, resulta adecuado para sistemas de potencia exigentes en entornos industriales y de ingeniería. Además, presenta una disipación máxima de potencia de 25 W, lo que permite un diseño térmico controlado cuando se integra con un disipador adecuado.
El Transistor IGBT 30J127 se suministra en encapsulado TO-220, lo que facilita su montaje en placas PCB y su fijación a sistemas de disipación térmica. Asimismo, su especificación a una temperatura de unión de 25 °C proporciona una referencia clara para el diseño y análisis térmico del circuito.
Gracias a su capacidad de conmutación y robustez eléctrica, el Transistor IGBT 30J127 se utiliza ampliamente en proyectos de electrónica de potencia, robótica e ingeniería. En consecuencia, se convierte en una solución confiable para inversores, controladores de motores y fuentes de alimentación conmutadas, donde la estabilidad y la eficiencia resultan fundamentales.
Funciones destacadas de Transistor IGBT 30J127:
- Permite conmutación eficiente en aplicaciones de alta potencia.
- Soporta altos niveles de voltaje y corriente continua.
- Facilita el diseño térmico gracias a su encapsulado TO-220.
- Ofrece estabilidad eléctrica en sistemas exigentes.
- Mejora la eficiencia general del circuito de potencia.
Aplicaciones comunes:
- Inversores de potencia.
- Controladores de motores eléctricos.
- Fuentes de alimentación conmutadas.
- Sistemas industriales de potencia.
- Proyectos de electrónica y robótica avanzada.
Características técnicas:
- Tipo: Transistor IGBT
- Modelo: 30J127
- Encapsulado: TO-220
- Voltaje colector-emisor (VCES): 600 V
- Corriente continua de colector (IC): 200 A
- Disipación máxima de potencia: 25 W
- Temperatura de unión: 25 °C
Hoja de datos: 30J127
Para más transistores IGBT y dispositivos de potencia, consulte la sección Semiconductores de Potencia y Transistores IGBT.
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