Transistor IGBT 30J124 600V 200A TO-220

El Transistor IGBT 30J124 es un dispositivo de potencia de quinta generación diseñado para aplicaciones que requieren conmutación eficiente, alta capacidad de corriente y excelente desempeño térmico. Gracias a su arquitectura IGBT, combina las ventajas de los MOSFET y los transistores bipolares, lo que permite manejar altas tensiones y corrientes con pérdidas reducidas.

Este componente soporta un voltaje colector-emisor (VCES) de hasta 600 V y una corriente continua de colector (IC) de 200 A, lo que lo hace adecuado para sistemas de potencia exigentes. Además, presenta un voltaje de saturación VCE de solo 2.4 V, por lo tanto, reduce significativamente las pérdidas por conducción y mejora la eficiencia energética del sistema.

El Transistor IGBT 30J124 se presenta en encapsulado TO-220 SIS, lo cual facilita su integración en disipadores térmicos y placas PCB de potencia. Asimismo, su disipación máxima de 25 W y operación especificada a una temperatura de unión de 25 °C permiten un diseño térmico controlado y confiable. En consecuencia, este transistor resulta ideal para proyectos donde la estabilidad y la robustez eléctrica son factores críticos.

Gracias a su tecnología de quinta generación, el Transistor IGBT 30J124 ofrece tiempos de conmutación optimizados, mejor comportamiento frente a picos de tensión y mayor confiabilidad operativa. Por lo tanto, ingenieros y desarrolladores lo emplean en convertidores, inversores, controladores de motores y sistemas industriales de potencia.

En aplicaciones de electrónica, robótica e ingeniería, este IGBT proporciona un equilibrio adecuado entre rendimiento, eficiencia y facilidad de implementación, lo que lo convierte en una solución sólida para diseños profesionales y prototipos avanzados.

Funciones destacadas del Transistor IGBT 30J124:

• Permite conmutación eficiente en aplicaciones de alta potencia.
• Soporta altos niveles de voltaje y corriente continua.
• Reduce pérdidas energéticas gracias a su bajo VCE de saturación.
• Facilita la disipación térmica mediante encapsulado TO-220.
• Mejora la confiabilidad del sistema con tecnología de quinta generación.

Aplicaciones comunes:

• Inversores de potencia.
• Controladores de motores eléctricos.
• Fuentes de alimentación conmutadas.
• Sistemas industriales de alta potencia.
• Proyectos de electrónica y robótica avanzada.

Características técnicas:

• Tipo: Transistor IGBT
• Modelo: 30J124
• Generación: 5th Generation
• Encapsulado: TO-220 SIS
• Voltaje colector-emisor (VCES): 600 V
• Corriente continua de colector (IC): 200 A
• Disipación máxima de potencia: 25 W
• Voltaje de saturación VCE: 2.4 V
• Temperatura de unión: 25 °C

Hoja de datos: ¿Cómo probar un 30J124? 30J124

Para más transistores IGBT y dispositivos de potencia, consulte la sección Semiconductores de Potencia y Transistores IGBT.