Transistor IGBT 30F124 300V 200A TO-220

El Transistor IGBT 30F124 es un semiconductor de potencia de sexta generación diseñado para aplicaciones que requieren alta capacidad de corriente, estabilidad eléctrica y eficiencia en conmutación. Gracias a su arquitectura IGBT avanzada, este dispositivo combina una alta impedancia de entrada con una baja pérdida de conducción, lo que optimiza el rendimiento general del sistema.

Este transistor soporta un voltaje colector-emisor (VCES) de 300 V y una corriente continua de colector (IC) de 200 A, por lo tanto, resulta adecuado para sistemas de potencia de media tensión. Además, su disipación máxima de potencia de 25 W permite un diseño térmico controlado cuando se emplea una adecuada gestión de calor.

El Transistor IGBT 30F124 se presenta en encapsulado TO-220, lo cual facilita su montaje en placas PCB y su integración con disipadores térmicos estándar. Asimismo, la especificación a una temperatura de unión de 25 °C proporciona una referencia clara para el análisis térmico del circuito.

Gracias a su tecnología de sexta generación, el Transistor IGBT 30F124 ofrece mejoras en velocidad de conmutación, reducción de pérdidas y mayor confiabilidad operativa frente a generaciones anteriores. En consecuencia, se convierte en una solución eficiente para proyectos de electrónica de potencia, robótica e ingeniería industrial.

Este IGBT se utiliza comúnmente en inversores, controladores de motores, fuentes de alimentación conmutadas y otros sistemas donde la eficiencia energética y la robustez resultan fundamentales.

Funciones destacadas del Transistor IGBT 30F124:

• Permite conmutación eficiente en aplicaciones de potencia.
• Soporta alta corriente continua con estabilidad.
• Reduce pérdidas energéticas gracias a tecnología de 6ª generación.
• Facilita integración térmica mediante encapsulado TO-220.
• Mejora el rendimiento general del sistema electrónico.

Aplicaciones comunes:

• Inversores de potencia.
• Controladores de motores eléctricos.
• Fuentes de alimentación conmutadas.
• Sistemas industriales de potencia.
• Proyectos de electrónica y robótica avanzada.

Características técnicas:

• Tipo: Transistor IGBT
• Modelo: 30F124
• Generación: 6th Generation
• Encapsulado: TO-220
• Voltaje colector-emisor (VCES): 300 V
• Corriente continua de colector (IC): 200 A
• Disipación máxima de potencia: 25 W
• Temperatura de unión: 25 °C

Hoja de datos:30F124

Para más transistores IGBT y dispositivos de potencia, consulte la sección Semiconductores de Potencia y Transistores IGBT.