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Transistor Bipolar BC559B PNP 100mA 30V

$ 0.6

Transistor Bipolar BC559B PNP 100mA 30V de alta estabilidad y bajo ruido, ideal para amplificación y control en proyectos electrónicos de precisión.

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El Transistor Bipolar BC559B PNP 100mA 30V es un componente fundamental para proyectos electrónicos que requieren alta estabilidad, baja distorsión y eficiencia energética. Este transistor de empaquetado TO-92 es ampliamente usado en circuitos de audio, amplificación de señal, control y conmutación de baja potencia.

Cuenta con un voltaje máximo colector-emisor de 30 V, corriente continua máxima de colector de 100 mA y una ganancia de corriente (hfe) máxima de 200, asegurando un desempeño sólido y confiable en aplicaciones de ingeniería y prototipado. Su voltaje de saturación de apenas 250 mV mejora la eficiencia reduciendo pérdidas en el circuito.

El BC559B destaca por un ancho de banda mínimo de 150 MHz, garantizando precisión en señales de alta frecuencia. Su capacidad de operar entre -55°C y 150°C asegura estabilidad en condiciones extremas. Este transistor es compacto, confiable y óptimo para sistemas donde el espacio y la eficiencia son críticos.

Es ideal para ingenieros, técnicos y aficionados a la electrónica que requieren componentes con bajo ruido y alta ganancia para proyectos de audio, instrumentación, amplificadores y control electrónico.

Funciones destacadas del Transistor Bipolar BC559B PNP 100mA 30V:

  • Alta estabilidad en señales y baja distorsión.
  • Voltaje de saturación reducido para eficiencia.
  • Amplio rango de operación térmica (-55°C a 150°C).
  • Ancho de banda de alta frecuencia (fT ≥ 150 MHz).
  • Empaquetado TO-92 compacto y resistente.

Aplicaciones comunes:

  • Amplificación de señal y preamplificadores.
  • Circuitos de audio de baja potencia.
  • Sistemas de control y conmutación.
  • Instrumentación electrónica.
  • Proyectos de prototipado e ingeniería.

Características técnicas:

  • Empaquetado: TO-92-3
  • Polaridad: PNP
  • Configuración: Single
  • Máx voltaje VCEO colector-emisor: 30 V
  • Tensión VCBO colector-base: 30 V
  • Voltaje VEBO emisor-base: 5 V
  • Voltaje de saturación colector-emisor: 250 mV
  • Corriente CC máxima de colector: 0.1 A
  • Producto para ganar ancho de banda fT: 150 MHz (mín)
  • Temperatura de trabajo: -55°C a 150°C
  • Corriente continua de colector: -0.1 A
  • Colector DC/Ganancia Base hfe máxima: 200
  • Disipación de potencia: 500 mW

Hoja de datos:BC559B

Para más Transistores y Semiconductores, consulte la sección Transistores

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